低圧OMVPE法およびMBE法によるGaAs系エピタキシャル成長に関する研究 テイアツ OMVPEホウ オヨビ MBEホウ ニヨル GaAsケイ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケンキュウ
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Bibliographic Information
- Title
-
低圧OMVPE法およびMBE法によるGaAs系エピタキシャル成長に関する研究
- Other Title
-
テイアツ OMVPEホウ オヨビ MBEホウ ニヨル GaAsケイ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケンキュウ
- Author
-
高岸, 成典
- Author(Another name)
-
タカギシ, シゲノリ
- University
-
名古屋工業大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第52号
- Degree year
-
1993-09-09
Note and Description
博士論文
主査:梅野 正義
Table of Contents
- [目次] / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 エピタキシャル成長技術 / p2 (0006.jp2)
- 1-3 本研究の意義と論文の構成 / p8 (0009.jp2)
- 参考文献 / p14 (0012.jp2)
- 第2章 低圧OMVPE法によるGaAsエピタキシャル成長 / p17 (0013.jp2)
- 2-1 はじめに / p17 (0013.jp2)
- 2-2 実験方法 / p18 (0014.jp2)
- 2-3 実験結果と考察 / p25 (0017.jp2)
- 2-4 まとめ / p44 (0027.jp2)
- 参考文献 / p46 (0028.jp2)
- 第3章 低圧OMVPE法によるAIGaAsエピタキシャル成長 / p47 (0028.jp2)
- 3-1 はじめに / p47 (0028.jp2)
- 3-2 実験方法 / p48 (0029.jp2)
- 3-3 実験結果と考察 / p49 (0029.jp2)
- 3-4 まとめ / p63 (0036.jp2)
- 参考文献 / p65 (0037.jp2)
- 第4章 低圧OMVPE成長したGaAsエピタキシャル層の表面欠陥 / p66 (0038.jp2)
- 4-1 はじめに / p66 (0038.jp2)
- 4-2 実験方法 / p67 (0038.jp2)
- 4-3 実験結果と考察 / p68 (0039.jp2)
- 4-4 まとめ / p85 (0047.jp2)
- 参考文献 / p87 (0048.jp2)
- 第5章 MBE成長したGaAsエピタキシャル層の表面欠陥 / p89 (0049.jp2)
- 5-1 はじめに / p89 (0049.jp2)
- 5-2 実験方法 / p90 (0050.jp2)
- 5-3 実験結果と考察 / p92 (0051.jp2)
- 5-4 まとめ / p107 (0058.jp2)
- 参考文献 / p108 (0059.jp2)
- 第6章 結論 / p110 (0060.jp2)
- 6-1 本研究のまとめ / p110 (0060.jp2)
- 6-2 今後の課題 / p114 (0062.jp2)
- 謝辞 / p118 (0064.jp2)
- 発表論文 / p120 (0065.jp2)