Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究 Ⅲ-Ⅴカゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン ヘ ノ デンキョク ケイセイ ノ ケンキュウ

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Author

    • 小川, 正毅 オガワ, マサキ

Bibliographic Information

Title

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究

Other Title

Ⅲ-Ⅴカゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン ヘ ノ デンキョク ケイセイ ノ ケンキュウ

Author

小川, 正毅

Author(Another name)

オガワ, マサキ

University

大阪大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

乙第6033号

Degree year

1993-07-26

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次/p1 (4コマ目)
  2. 1章 緒言/p1 (7コマ目)
  3. 1章1節 III-V化合物への電極形成技術の意義と課題/p2 (8コマ目)
  4. 1章2節 III-V化合物電極技術の概略/p4 (9コマ目)
  5. 1-2-1 金属半導体接触特性/p4 (9コマ目)
  6. 1-2-2 III-V化合物へのショットキ電極/p8 (11コマ目)
  7. 1-2-3 III-V化合物へのオーミック電極/p12 (13コマ目)
  8. 1章3節 本研究に用いた分析方法/p15 (14コマ目)
  9. 1-3-1 マイクロプローブオージェ分析/p15 (14コマ目)
  10. 1-3-2 X線・電子線回折/p18 (16コマ目)
  11. 1-3-3 X線光電子分光、真空紫外光電子分光/p18 (16コマ目)
  12. 第1章の参考文献/p22 (18コマ目)
  13. 2章 GaAsへのショットキ電極の研究/p24 (19コマ目)
  14. 2章1節 2章の概要/p24 (19コマ目)
  15. 2章1節の文献/p25 (19コマ目)
  16. 2章2節 Pt/GaAs/p26 (20コマ目)
  17. 2-2-1 序/p26 (20コマ目)
  18. 2-2-2 実験/p26 (20コマ目)
  19. 2-2-3 Pt/GaAs反応/p28 (21コマ目)
  20. 2-2-4 電気的特性/p33 (23コマ目)
  21. 2-2-5 応用/p43 (28コマ目)
  22. 2-2-6 本節のまとめ/p45 (29コマ目)
  23. 2章2節の文献/p46 (30コマ目)
  24. 2章3節 Ni/GaAs/p48 (31コマ目)
  25. 2-3-1 序/p48 (31コマ目)
  26. 2-3-2 実験/p48 (31コマ目)
  27. 2-3-3 熱処理に伴う合金層形成/p49 (31コマ目)
  28. 2-3-4 Ni/GaAs反応によるGaAs界面自然酸化膜除去/p57 (35コマ目)
  29. 2-3-5 熱力学的考察/p60 (37コマ目)
  30. 2-3-6 本節のまとめ/p64 (39コマ目)
  31. 2章3節の文献/p65 (39コマ目)
  32. 2章4節 A1/GaAs/p67 (40コマ目)
  33. 2-4-1 序/p67 (40コマ目)
  34. 2-4-2 A1電極加工技術/p68 (41コマ目)
  35. 2-4-3 A1ゲートGaAsMESFET/p71 (42コマ目)
  36. 2-4-4 本節のまとめ/p78 (46コマ目)
  37. 2章4節の文献/p78 (46コマ目)
  38. 2章5節 2章のまとめ/p81 (47コマ目)
  39. 3章 InPへのショットキ電極の研究/p82 (48コマ目)
  40. 3章1節 3章の概要/p82 (48コマ目)
  41. 3章1節の文献/p83 (48コマ目)
  42. 3章2節 Au/InP/p84 (49コマ目)
  43. 3-2-1 序/p84 (49コマ目)
  44. 3-2-2 実験/p84 (49コマ目)
  45. 3-2-3 Au/InP反応/p85 (49コマ目)
  46. 3-2-4 Au/InPショットキ特性/p94 (54コマ目)
  47. 3-2-5 本節のまとめ/p96 (55コマ目)
  48. 3章2節の文献/p98 (56コマ目)
  49. 3章3節 Pt/InP/p100 (57コマ目)
  50. 3-3-1 序/p100 (57コマ目)
  51. 3-3-2 実験/p100 (57コマ目)
  52. 3-3-3 Pt/InP反応/p100 (57コマ目)
  53. 3-3-4 Pt/InPショットキ特性/p102 (58コマ目)
  54. 3-3-5 本節のまとめ/p104 (59コマ目)
  55. 3章3節の文献/p104 (59コマ目)
  56. 3章4節 A1/InP/p105 (59コマ目)
  57. 3-4-1 序/p105 (59コマ目)
  58. 3-4-2 実験/p105 (59コマ目)
  59. 3-4-3 A1/InP反応/p106 (60コマ目)
  60. 3-4-4 A1/InPショットキ特性/p108 (61コマ目)
  61. 3-4-5 ArイオンエッチしたInP表面へのA1ショットキ特性/p111 (62コマ目)
  62. 3-4-6 本節のまとめ/p112 (63コマ目)
  63. 3章4節の文献/p112 (63コマ目)
  64. 3章5節 3章のまとめ/p114 (64コマ目)
  65. 4章 GaAsへのオーミック電極の研究/p115 (64コマ目)
  66. 4章1節 4章の概要/p115 (64コマ目)
  67. 4章1節の文献/p116 (65コマ目)
  68. 4章2節 Ni/Au-Ge/GaAs/p117 (65コマ目)
  69. 4-2-1 序/p117 (65コマ目)
  70. 4-2-2 実験/p118 (66コマ目)
  71. 4-2-3 合金深さの測定/p119 (66コマ目)
  72. 4-2-4 マイクロプローブAES測定/p121 (67コマ目)
  73. 4-2-5 X線回折/p126 (70コマ目)
  74. 4-2-6 考察/p129 (71コマ目)
  75. 4-2-7 まとめ/p134 (74コマ目)
  76. 4章2節の文献/p136 (75コマ目)
  77. 4章3節 AuGe系電極の熱的安定性/p138 (76コマ目)
  78. 4-3-1 序/p138 (76コマ目)
  79. 4-3-2 実験/p139 (76コマ目)
  80. 4-3-3 電極構造とその保管試験による変化/p140 (77コマ目)
  81. 4-3-4 考察/p147 (80コマ目)
  82. 4-3-5 まとめ/p149 (81コマ目)
  83. 4章3節の文献/p150 (82コマ目)
  84. 4章4節 Ni-Ge/GaAs/p151 (82コマ目)
  85. 4-4-1 序/p151 (82コマ目)
  86. 4-4-2 実験/p151 (82コマ目)
  87. 4-4-3 結果及び考察/p152 (83コマ目)
  88. 4-4-4 まとめ/p157 (85コマ目)
  89. 4章4節の文献/p158 (86コマ目)
  90. 4章5節 高濃度ドーピング層の形成(1)選択気相成長/p159 (86コマ目)
  91. 4-5-1 序/p159 (86コマ目)
  92. 4-5-2 実験/p159 (86コマ目)
  93. 4-5-3 マスクパターンの方向に対する選択成長依存性/p161 (87コマ目)
  94. 4-5-4 成長過程の観察(1)モホロジー/p166 (90コマ目)
  95. 4-5-5 成長過程の観察(2)/p173 (93コマ目)
  96. 4-5-6 選択化学機械研磨/p175 (94コマ目)
  97. 4-5-7 電気的性質/p176 (95コマ目)
  98. 4-5-8 FETの製作と特性/p177 (95コマ目)
  99. 4-5-9 まとめ/p181 (97コマ目)
  100. 4章5節の文献/p182 (98コマ目)
  101. 4章6節 高濃度ドーピング層の形成(2)高濃度SiドープGaAsの成長/p183 (98コマ目)
  102. 4-6-1 序/p183 (98コマ目)
  103. 4-6-2 実験/p184 (99コマ目)
  104. 4-6-3 Siドーピング特性/p185 (99コマ目)
  105. 4-6-4 高濃度Siドープ層の表面構造/p191 (102コマ目)
  106. 4-6-5 高電子濃度特性の安定性/p196 (105コマ目)
  107. 4-6-6 高濃度Siドーピングの機構/p198 (106コマ目)
  108. 4-6-7 本節のまとめ/p202 (108コマ目)
  109. 4章6節の文献/p202 (108コマ目)
  110. 4章7節 4章のまとめ/p204 (109コマ目)
  111. 5章 InPへのオーミック電極の研究/p205 (109コマ目)
  112. 5章1節 5章の概要/p205 (109コマ目)
  113. 5章2節 Au-Zn/InP/p206 (110コマ目)
  114. 5-2-1 序/p206 (110コマ目)
  115. 5-2-2 実験/p206 (110コマ目)
  116. 5-2-3 Au-Zn/InPのオ一ミック特性と合金化反応/p207 (110コマ目)
  117. 5-2-4 Au-zn/InPコンタクトの信頼性/p213 (113コマ目)
  118. 5-2-5 本節のまとめ/p219 (116コマ目)
  119. 5章の文献/p220 (117コマ目)
  120. 6章 III-V化合物電極形成の指針/p221 (117コマ目)
  121. 6章1節 ショットキ電極形成の指針/p221 (117コマ目)
  122. 6章2節 オーミック電極形成の指針/p224 (119コマ目)
  123. 7章 III-V化合物表面酸化層の研究/p227 (120コマ目)
  124. 7章1節 7章の概要/p227 (120コマ目)
  125. 7章2節 GaAs,AlGaAsへの酸素吸着/p228 (121コマ目)
  126. 7-2-1 序/p228 (121コマ目)
  127. 7-2-2 実験/p228 (121コマ目)
  128. 7-2-3 酸素付着係数/p232 (123コマ目)
  129. 7-2-4 酸素結合状態/p236 (125コマ目)
  130. 7-2-5 本節のまとめ/p240 (127コマ目)
  131. 7章2節の文献/p240 (127コマ目)
  132. 7章3節 GaAs,InPの光促進酸化/p242 (128コマ目)
  133. 7-3-1 序/p242 (128コマ目)
  134. 7-3-2 実験/p242 (128コマ目)
  135. 7-3-3 GaAsの光励起促進表面酸化/p243 (128コマ目)
  136. 7-3-4 InPの光励起促進表面酸化/p248 (131コマ目)
  137. 7-3-5 本節のまとめ/p251 (132コマ目)
  138. 7章3節の文献/p251 (132コマ目)
  139. 7章4節 7章のまとめ/p252 (133コマ目)
  140. 8章 結語/p253 (133コマ目)
  141. 謝辞/p258 (136コマ目)
  142. 本論文に関する発表論文および学会発表/p259 (136コマ目)
14access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000099498
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000099728
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • jpn
  • NDLBibID
    • 000000263812
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections
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