窒化物系混晶半導体に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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窒化物系混晶半導体に関する研究
- 著者名
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上田, 吉裕
- 著者別名
-
ウエタ, ヨシヒロ
- 学位授与大学
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徳島大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第750号
- 学位授与年月日
-
1995-03-26
注記・抄録
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
目次
- 論文目録
- 論文内容要旨
- 目次
- 第1章 序論
- 1.1 研究の背景
- 1.2 GaN系発光素子の現状と問題点
- 1.3 研究の目的と本論文の構成
- 参考文献
- 第2章 窒化物系III-V族混晶半導体の材料設計
- 2.1 序言
- 2.2 バンドラインアップの計算
- 2.3 バンドギャップエネルギーの計算
- 2.4 窒化物混晶を用いたレーザーダイオードの設計
- 2.5 結言
- 参考文献
- 第3章 GaN系およびZnSe系レーザーダイオードのしきい値電流密度
- 3.1 序言
- 3.2 しきい値電流密度の計算
- 3.3 結言
- 参考文献
- 第4章 Ga-N-P混晶と超格子
- 4.1 序言
- 4.2 GaNP混晶
- 4.3 単原子超格子
- 4.4 結言
- 参考文献
- 第5章 GaNおよびGaPの表面改質とヘテロエピタキシー
- 5.1 序言
- 5.2 MOCVD装置の構造
- 5.3 熱処理実験
- 5.4 GaN上GaPおよびGaP上GaNの成長
- 5.5 結言
- 参考文献
- 第6章 GaNのMOCVD成長
- 6.1 序言
- 6.2 低温成長GaNの結晶化
- 6.3 SiおよびGaAs on Si基板上へのGaNの成長
- 6.4 結言
- 参考文献
- 第7章 結論
- 謝辞
- 発表論文･学会発表リスト
- 本研究に関するもの
- 本研究以外
- 付録(プログラムリスト)
- (A)バンドギャップ
- (B-1)吸収係数
- (B-2)光閉じ込め係数
- (B-3)光学利得-電流密度
- (B-4)しきい値電流密度
- (C-1)sp³強結合法(バルク)
- (C-2)sp³強結合法(超格子)
- (C-3)sp³s*強結合法(バルク)
- (C-4)sp³s*強結合法(超格子)
