ヘリコンスパッタリング法による酸化物超伝導薄膜の作成と超伝導アンテナへの応用
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
ヘリコンスパッタリング法による酸化物超伝導薄膜の作成と超伝導アンテナへの応用
- Author
-
中村, 嘉孝
- Author(Another name)
-
ナカムラ, ヨシタカ
- University
-
山形大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第241号
- Degree year
-
1996-03-31
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- (目次) / (0003.jp2)
- 概要 / p1 (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p3 (0008.jp2)
- 第2章 薄膜作製と評価 / p7 (0012.jp2)
- 第1節 薄膜作製の手法 / p7 (0012.jp2)
- (1)ヘリコンスパッタリング法 / p7 (0012.jp2)
- (2)MOCVD法 / p8 (0013.jp2)
- 第2節 評価および薄膜の整形 / p9 (0014.jp2)
- (1)結晶性､配向性､結晶軸長､ヘテロエピタキシャル成長の評価 X線回折法､X線ロッキングカーブ法､X線極点回折 / p9 (0014.jp2)
- (2)表面モフォロジーの評価 Atomic Force Microscopy(AFM)観察 / p10 (0015.jp2)
- (3)[化学式]/CeO₂/Al₂O₃積層膜界面の相互拡散と表面析出物の評価 Auger電子分光法 / p10 (0015.jp2)
- (4)アンテナの加工 ウェットエッチングによる加工 / p11 (0016.jp2)
- (5)電気抵抗の測定法 四端子法 / p11 (0016.jp2)
- (6)高周波特性の評価システム ネットワークアナライザと冷却システム / p12 (0017.jp2)
- 第3章 R面サファイア基板上へのCeO₂バッファ一層の作製 / p19 (0024.jp2)
- 第1節 序言 / p19 (0024.jp2)
- 第2節 Ce0₂薄膜の面配向とc軸分散性 / p21 (0026.jp2)
- (1)基板の成膜前処理 / p21 (0026.jp2)
- (2)酸素分圧依存性 / p21 (0026.jp2)
- (3)基板温度依存性 / p22 (0027.jp2)
- (4)誘導コイルの投入電力依存性 / p23 (0028.jp2)
- (5)ターゲット投入電力依存性 / p26 (0031.jp2)
- 第3節 CeO₂薄膜のヘテロエピタキシャル成長 / p29 (0034.jp2)
- (1)R面サファイア基板の(1-210)面の極点解析 / p29 (0034.jp2)
- (2)Ce0₂薄膜(220)面の極点解析 / p30 (0035.jp2)
- 第4節 CeO₂薄膜のAFM観察による表面モフォロジーの評価 / p32 (0037.jp2)
- (1)R面サファイア基板表面のAFM観察 / p32 (0037.jp2)
- (2)Ce0₂薄膜表面のAFM観察 / p32 (0037.jp2)
- (3)CeO₂薄膜の表面モフォロジーと薄膜の結晶性･配向度の関係 / p33 (0038.jp2)
- 第5節 CeO₂薄膜の最適膜厚の評価 / p35 (0040.jp2)
- (1)結晶性､配向性の膜厚依存性 / p35 (0040.jp2)
- (2)表面平滑性の膜厚依存性 / p35 (0040.jp2)
- (3)c軸長の膜厚依存性 / p36 (0041.jp2)
- 第6節 大面積CeO₂薄膜の評価 / p37 (0042.jp2)
- (1)結晶性､配向性の基板位置依存性 / p37 (0042.jp2)
- 第7節 結言 / p38 (0043.jp2)
- 第4章 CeO₂/Al₂O₃上への[化学式]薄膜の作製 / p81 (0086.jp2)
- 第1節 序言 / p81 (0086.jp2)
- 第2節 CeO₂/Al₂O₃基板上の[化学式]薄膜のヘテロエピタキシャル成長条件 / p82 (0087.jp2)
- (1)CVD法によるYBCO薄膜の作製 / p82 (0087.jp2)
- (2)ヘリコンスパッタリング法によるYBCO薄膜の作製 / p82 (0087.jp2)
- (3)膜厚の異なるCeO₂薄膜上に成膜されたYBCO薄膜 / p86 (0091.jp2)
- 第3節 [化学式]/CeO₂/Al₂O₃積層膜のヘテロエピタキシーの評価 / p87 (0092.jp2)
- (1)CVD法により作製された[化学式]薄膜の極点解析 / p87 (0092.jp2)
- (2)ヘリコンスパッタリング法によって作製された[化学式]薄膜の極点解析 / p88 (0093.jp2)
- 第4節 [化学式]薄膜のAFM観察による表面モフォロジーの評価 / p89 (0094.jp2)
- (1)CVD法によって作製された[化学式]薄膜のAFM観察 / p89 (0094.jp2)
- (2)ヘリコンスパッタリング法により作製された[化学式]薄膜表面のAFM観察 / p90 (0095.jp2)
- 第5節 Auger電子分光法による[化学式]/CeO₂/Al₂O₃界面の相互拡散の評価 / p91 (0096.jp2)
- (1)[化学式]/CeO₂/Al₂O₃積層膜の深さ方向分析 / p91 (0096.jp2)
- (2)[化学式]薄膜表面のMapping測定による表面析出物の評価 / p92 (0097.jp2)
- 第6節 結言 / p95 (0100.jp2)
- 第5章 超伝導アンテナの設計､評価 / p136 (0141.jp2)
- 第1節 序言 / p136 (0141.jp2)
- 第2節 メアンダ型アンテナの設計 / p137 (0142.jp2)
- (1)メアンダ型アンテナの人力インピーダンスの計算 / p137 (0142.jp2)
- 第3節 メアンダ型アンテナの評価 / p139 (0144.jp2)
- (1)メアンダ型アンテナの人力インピーダンスと反射係数の周波数特性 / p139 (0144.jp2)
- 第4節 結言 / p141 (0146.jp2)
- 第6章 結論 / p152 (0157.jp2)
- 謝辞 / p156 (0161.jp2)
- 参考文献 / p157 (0162.jp2)