プラズマプロセスを用いたⅢ-Ⅴ化合物半導体の表面モディフィケーションに関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
プラズマプロセスを用いたⅢ-Ⅴ化合物半導体の表面モディフィケーションに関する研究
- Author
-
坂本, 善史
- Author(Another name)
-
サカモト, ヨシフミ
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5578号
- Degree year
-
1996-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 参考文献 / p3 (0006.jp2)
- 第2章 プラズマプロセスによるInPの表面モディフィケーションと評価方法 / p4 (0007.jp2)
- 2.1.緒言 / p4 (0007.jp2)
- 2.2.プラズマ処理方法 / p5 (0007.jp2)
- 2.3.X線光電子分光法(XPS)による表面分析 / p7 (0008.jp2)
- 2.4.ケルビンプローブ法による表面フェルミ準位位置の評価 / p12 (0011.jp2)
- 2.5.考察 / p15 (0012.jp2)
- 2.6.結言 / p17 (0013.jp2)
- 参考文献 / p18 (0014.jp2)
- 第3章 プラズマ処理表面に作製したInPショットキー接合の特性 / p19 (0014.jp2)
- 3.1.緒言 / p19 (0014.jp2)
- 3.2.熱電子放出理論 / p20 (0015.jp2)
- 3.3.実験方法 / p22 (0016.jp2)
- 3.4.実験結果及び考察 / p22 (0016.jp2)
- 3.5.結言 / p36 (0023.jp2)
- 参考文献 / p37 (0023.jp2)
- 第4章 プラズマ処理によりInP中に生成された電子トラップの評価 / p39 (0024.jp2)
- 4.1.緒言 / p39 (0024.jp2)
- 4.2.等温過渡容量法(ICTS)の原理と方法 / p40 (0025.jp2)
- 4.3.実験結果及び考察 / p42 (0026.jp2)
- 4.4.結言 / p53 (0031.jp2)
- 参考文献 / p54 (0032.jp2)
- 第5章 リモートプラズマを用いたin-situ多段プロセスによるAu/PNx/InP MIS 構造の作製と評価 / p55 (0032.jp2)
- 5.1.緒言 / p55 (0032.jp2)
- 5.2.実験方法 / p56 (0033.jp2)
- 5.3.実験結果及び考察 / p58 (0034.jp2)
- 5.4.結言 / p65 (0037.jp2)
- 参考文献 / p66 (0038.jp2)
- 第6章 フォスフィンプラズマ処理によるInGaAsの表面モディフィケーション / p67 (0038.jp2)
- 6.1.緒言 / p67 (0038.jp2)
- 6.2.実験方法 / p68 (0039.jp2)
- 6.3.実験結果及び考察 / p68 (0039.jp2)
- 6.4.結言 / p75 (0042.jp2)
- 参考文献 / p75 (0042.jp2)
- 第7章 プラズマプロセス及び評価技術のダイヤモンドへの応用 / p76 (0043.jp2)
- 7.1.緒言 / p76 (0043.jp2)
- 7.2.実験方法 / p77 (0043.jp2)
- 7.3.実験結果及び考察 / p78 (0044.jp2)
- 7.4.結言 / p82 (0046.jp2)
- 参考文献 / p83 (0046.jp2)
- 第8章結論 / p84 (0047.jp2)
- 謝辞 / p87 (0048.jp2)
- 研究業績 / p88 (0049.jp2)
