半導体微細構造における量子輸送現象の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体微細構造における量子輸送現象の研究
- 著者名
-
坂本, 利司
- 著者別名
-
サカモト, トシツグ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第6818号
- 学位授与年月日
-
1996-01-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p3 (0004.jp2)
- 内容梗概 / p1 (0003.jp2)
- 1.序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1.研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2.本研究の目的 / p4 (0008.jp2)
- 1.3.本論文の構成 / p4 (0008.jp2)
- 2.素子の作製と測定方法 / p9 (0010.jp2)
- 2.1.緒言 / p9 (0010.jp2)
- 2.2. 2次元電子ガス / p9 (0010.jp2)
- 2.3.素子の作製 / p14 (0013.jp2)
- 2.4.測定方法 / p17 (0014.jp2)
- 3.メソスコピック領域でのバリスティック伝導 / p23 (0017.jp2)
- 3.1.緒言 / p23 (0017.jp2)
- 3.2.バリスティック電子と光波との類似性 / p23 (0017.jp2)
- 3.3.バリスティック電子の加算則 / p27 (0019.jp2)
- 3.4.バリスティック電子を用いた多入力素子 / p31 (0021.jp2)
- 3.5.結言 / p34 (0023.jp2)
- 4.単一電子トンネル現象 / p37 (0024.jp2)
- 4.1.緒言 / p37 (0024.jp2)
- 4.2. 1つのドット介した単一電子トンネル / p39 (0025.jp2)
- 4.3.直列ドットにおける単一電子トンネル / p47 (0029.jp2)
- 4.4.強磁場における単一電子トンネル / p56 (0034.jp2)
- 4.5.結言 / p63 (0037.jp2)
- 5.半導体微細構造中の電荷トラップ / p67 (0039.jp2)
- 5.1.緒言 / p67 (0039.jp2)
- 5.2. 1次元細線中の単電子トラップ / p68 (0040.jp2)
- 5.3. GaAs/AlGaAs単一電子トランジスター中のトラップ / p80 (0046.jp2)
- 5.4. シリコン微細構造におけるトラップ / p88 (0050.jp2)
- 5.5.結言 / p93 (0052.jp2)
- 6.結論 / p97 (0054.jp2)
- 謝辞 / p99 (0055.jp2)
- 研究業績 / p101 (0056.jp2)
