電子ビームリソグラフィにおける高精度化技術に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
電子ビームリソグラフィにおける高精度化技術に関する研究
- 著者名
-
村井, 二三夫
- 著者別名
-
ムライ, フミオ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第6820号
- 学位授与年月日
-
1996-01-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 要旨 / (0003.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 電子ビームリソグラフィの位置付け / p2 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p4 (0007.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p5 (0007.jp2)
- 第2章 電子ビームリソグラフィの精度の解析 / p8 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p8 (0009.jp2)
- 2.2 寸法精度に与える誤差要因 / p8 (0009.jp2)
- 2.3 位置精度に与える誤差要因 / p15 (0012.jp2)
- 2.4 本章の結言 / p18 (0014.jp2)
- 第3章 近接効果現象の検討-寸法精度劣化要因の検討- / p20 (0015.jp2)
- 3.1 緒言 / p20 (0015.jp2)
- 3.2 近接効果現象 / p20 (0015.jp2)
- 3.3 現象の解析 / p22 (0016.jp2)
- 3.4 近接効果パラメータの評価 / p25 (0017.jp2)
- 3.5 モンテカルロシミュレーションによる近接効果の評価 / p36 (0023.jp2)
- 3.6 本章の結言 / p40 (0025.jp2)
- 第4章 近接効果補正技術-寸法精度の向上- / p42 (0026.jp2)
- 4.1 緒言 / p42 (0026.jp2)
- 4.2 小領域を精密に補正する場合 / p44 (0027.jp2)
- 4.3 近接効果補正方式の例 / p47 (0028.jp2)
- 4.4 テーブル参照法による近接効果補正方式 / p55 (0032.jp2)
- 4.5 パターン面積密度マップを用いたハードウエア近接効果補正 / p69 (0039.jp2)
- 4.6 本章の結言 / p89 (0049.jp2)
- 第5章 電子ビームリソグラフィにおける帯電現象とその防止技術-位置精度の向上- / p92 (0051.jp2)
- 5.1 緒言 / p92 (0051.jp2)
- 5.2 電子ビーム描画における基板帯電現象 / p92 (0051.jp2)
- 5.3 水溶性導電ポリマーによる帯電防止法 / p106 (0058.jp2)
- 5.4 本章の結言 / p116 (0063.jp2)
- 第6章 電子ビームリソグラフィの応用(I)-フォトマスク短寸法精度の加速電圧効果- / p119 (0064.jp2)
- 6.1 緒言 / p119 (0064.jp2)
- 6.2 実験方法 / p120 (0065.jp2)
- 6.3 実験結果 / p120 (0065.jp2)
- 6.4 結果の検討 / p126 (0068.jp2)
- 6.5 加速電圧の選択 / p133 (0071.jp2)
- 6.6 本章の結言 / p134 (0072.jp2)
- 第7章 電子ビームリソグラフィの応用(II)-直接描画によるLSI製造プロセスへの応用- / p136 (0073.jp2)
- 7.1 緒言 / p136 (0073.jp2)
- 7.2 電子ビームレジスト / p137 (0073.jp2)
- 7.3 レジストプロセス / p145 (0077.jp2)
- 7.4 64MbDRAM研究試作の例 / p158 (0084.jp2)
- 7.5 本章の結言 / p165 (0087.jp2)
- 第8章 素子損傷の検討 / p169 (0089.jp2)
- 8.1 緒言 / p169 (0089.jp2)
- 8.2 実験方法 / p170 (0090.jp2)
- 8.3 実験結果 / p172 (0091.jp2)
- 8.4 本章の結言 / p179 (0094.jp2)
- 第9章 結論 / p183 (0096.jp2)
- 9.1 本論分のまとめ / p183 (0096.jp2)
- 9.2 電子ビームリングラフィの課題と今後の見通し / p185 (0097.jp2)
- 謝辞 / p186 (0098.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p188 (0099.jp2)
