低温プロセスポリSiTFTの開発とその液晶表示素子への応用に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
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低温プロセスポリSiTFTの開発とその液晶表示素子への応用に関する研究
- Author
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結城, 正記
- Author(Another name)
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ユウキ, マサノリ
- University
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大阪大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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乙第6821号
- Degree year
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1996-01-30
Note and Description
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
Table of Contents
- 目次
- 第1章 序論
- 1.1 本研究の背景---情報化社会と液晶表示素子
- 1.2 本研究の目的と意義
- 1.3 本論文の構成と概要
- 参考文献
- 第2章 低温プロセスポリSiTFTの開発
- 2.1 レーザーア二ールによるアモルファスSiの低温結晶化
- 2.2 低温プロセスポリSiTFTの作製とTFT特性
- 2.3 ポリSiTFT液晶表示素子の作製と表示特性
- 2.4 まとめ
- 参考文献
- 第3章 低温プロセスポリSiTFTのセルフアライン化
- 3.1 TFTセルフアライン化の重要性
- 3.2 大口径イオンフラックスドーピング
- 3.3 セルフアラインポリSiTFTの作製とTFT特性
- 3.4 TFT-LCDの光学特性とTFT寄生容量の評価
- 3.5 まとめ
- 参考文献
- 第4章 低温プロセスポリSiTFTのCMOS化
- 4.1 ポリSiTFTのCMOS化の意義
- 4.2 イオンフラックスドープ法によるP型ドーピング
- 4.3 CMOS化に適合したゲート絶縁膜の検討
- 4.4 レーザー結晶化後のアフターア二ールの検討
- 4.5 出発膜としてのLPCVDアモルファスSiの検討
- 4.6 CMOS TFTの作製と特性
- 4.7 まとめ
- 参考文献
- 第5章 TFT-LCPCによる高輝度プロジェクタの開発
- 5.1 液晶プロジェクタの構成と特性
- 5.2 LCPCの光散乱透過特性と投射光学システム
- 5.3 ポリSiTFT-LCPCライトバルブの作製
- 5.4 フルカラービデオプロジェクタの作製と表示特性
- 5.5 まとめ
- 参考文献
- 第6章 結論
- 謝辞
- 研究発表目録
