X線分析による半導体薄膜材料の評価
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著者
書誌事項
- タイトル
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X線分析による半導体薄膜材料の評価
- 著者名
-
刈谷, 哲也
- 著者別名
-
カリヤ, テツヤ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第6925号
- 学位授与年月日
-
1996-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文内容要旨 / 前付1 / (0003.jp2)
- 目次 / 前付2 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 評価のための手段と対象物質 / p2 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p3 (0007.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p3 (0007.jp2)
- 参考文献 / p5 (0008.jp2)
- 第2章 Ge基板上のGaPの蛍光X線分析 / p6 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p6 (0009.jp2)
- 2.2 薄膜試料の蛍光X線線強度の数値計算的検討 / p7 (0010.jp2)
- 2.3 Ga-P系膜の定量蛍光X線分析 / p10 (0011.jp2)
- 2.4 Ga-P系試料の分析結果の検討 / p13 (0013.jp2)
- 2.5 結言 / p15 (0014.jp2)
- 参考文献 / p16 (0014.jp2)
- 第3章 薄膜の電子プローブX線マイクロ分析のための条件 / p17 (0015.jp2)
- 3.1 緒言 / p17 (0015.jp2)
- 3.2 膜厚と分析線強度の関係 / p19 (0016.jp2)
- 3.3 定量分析可能な膜厚の下限 / p32 (0023.jp2)
- 3.4 結言 / p36 (0025.jp2)
- 参考文献 / p37 (0025.jp2)
- 第4章 Cu-In-Se系薄膜の電子プローブX線マイクロ分析 / p38 (0026.jp2)
- 4.1 緒言 / p38 (0026.jp2)
- 4.2 Cu-In-Se系試料の分析 / p38 (0026.jp2)
- 4.3 Cu-In-Se系試料の分析技術に関する考察 / p43 (0029.jp2)
- 4.4 Cu-In-Se系試料の分析結果の検討 / p44 (0029.jp2)
- 4.4 結言 / p51 (0033.jp2)
- 参考文献 / p53 (0034.jp2)
- 第5章 I III VI₂型化合物混晶の電子プローブX線マイクロ分析 / p54 (0034.jp2)
- 5.1 緒言 / p54 (0034.jp2)
- 5.2 EPMAによるCuGaSe₂-CuGaS₂系の分析 / p55 (0035.jp2)
- 5.3 EPMAによるCuGaS₂-CuInS₂系の分析 / p61 (0038.jp2)
- 5.4 結言 / p65 (0040.jp2)
- 参考文献 / p66 (0040.jp2)
- 第6章 X線回折による極点図形の観測 / p67 (0041.jp2)
- 6.1 緒言 / p67 (0041.jp2)
- 6.2 極点図形観測方法 / p68 (0042.jp2)
- 6.3 石英ガラス基板上の多結晶Si薄膜の極点図形 / p71 (0043.jp2)
- 6.4 (111)Si基板上の多結晶Si膜の極点図形 / p80 (0048.jp2)
- 6.5 ガラス基板上の多結晶CdS膜の極点図形 / p90 (0053.jp2)
- 6.6 結言 / p101 (0058.jp2)
- 参考文献 / p103 (0059.jp2)
- 第7章 結論 / p104 (0060.jp2)
- 化学的組成の分析 / p104 (0060.jp2)
- 多結晶膜の配向 / p105 (0061.jp2)
- 謝辞 / p107 (0062.jp2)
- 研究業績 / p108 (0063.jp2)