透過電子顕微鏡法による薄膜トランジスタのプロセス信頼性向上に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
透過電子顕微鏡法による薄膜トランジスタのプロセス信頼性向上に関する研究
- 著者名
-
辻, 智
- 著者別名
-
ツジ, サトシ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第3453号
- 学位授与年月日
-
1996-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 緒言 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 薄膜トランジスタおよびその製造プロセスの概要 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 研究の目的とその背景 / p6 (0012.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p9 (0015.jp2)
- 参考文献 / p11 (0017.jp2)
- 第2章 特定故障箇所の検出方法およびその位置の断面試料作製方法 / p12 (0018.jp2)
- 2.1 序論 / p12 (0018.jp2)
- 2.2 TFTにおける故障解析の特徴 / p12 (0018.jp2)
- 2.3 故障モードの検出系 / p13 (0019.jp2)
- 2.4 特定箇所の断面試料作製方法 / p13 (0019.jp2)
- 2.5 結論 / p28 (0034.jp2)
- 参考文献 / p29 (0035.jp2)
- 第3章 積層構造内部に薄い汚染層を含む場合の解析 / p30 (0036.jp2)
- 3.1 序論 / p30 (0036.jp2)
- 3.2 深さ方向分析の問題点 / p30 (0036.jp2)
- 3.3 特定欠陥箇所の分析の意義 / p31 (0037.jp2)
- 3.4 解析方法 / p32 (0038.jp2)
- 3.5 結果および考察 / p32 (0038.jp2)
- 3.6 結論 / p40 (0046.jp2)
- 参考文献 / p41 (0047.jp2)
- 第4章 積層構造内部にマイクロボイドを含む場合の解析 / p42 (0048.jp2)
- 4.1 序論 / p42 (0048.jp2)
- 4.2 故障要因と試料作製による'Artifact'の混在 / p42 (0048.jp2)
- 4.3 解析方法 / p46 (0052.jp2)
- 4.4 結果および考察 / p53 (0059.jp2)
- 4.5 結論 / p59 (0065.jp2)
- 参考文献 / p60 (0066.jp2)
- 第5章 試料作製および透過電顕観察中に発生するイオンおよび電子線照射損傷 / p61 (0067.jp2)
- 5.1 序論 / p61 (0067.jp2)
- 5.2 TFTへの電子線およびイオン照射損傷 / p61 (0067.jp2)
- 5.3 結論 / p68 (0074.jp2)
- 参考文献 / p69 (0075.jp2)
- 第6章 透過電顕および原子間力顕微鏡による複合評価 / p70 (0075.jp2)
- 6.1 序論 / p70 (0076.jp2)
- 6.2 ゲート金属のナノ構造解析の意義 / p70 (0076.jp2)
- 6.3 実験方法 / p73 (0079.jp2)
- 6.4 結果および考察 / p74 (0080.jp2)
- 6.5 結論 / p88 (0094.jp2)
- 参考文献 / p89 (0095.jp2)
- 第7章 総括 / p90 (0096.jp2)
- 謝辞 / p95 (0101.jp2)