半導体表面の原子構造とレーザー誘起原子過程に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体表面の原子構造とレーザー誘起原子過程に関する研究
- 著者名
-
石川, 憲一
- 著者別名
-
イシカワ, ケンイチ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
-
甲第3488号
- 学位授与年月日
-
1996-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 1 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 半導体表面の物性 / p3 (0006.jp2)
- 1.3 走査型トンネル顕微鏡 / p11 (0010.jp2)
- 1.4 光誘起原子過程 / p13 (0011.jp2)
- 1.5 本研究の目的 / p17 (0013.jp2)
- 2 実験装置および実験方法 / p19 (0014.jp2)
- 2.1 緒言 / p19 (0014.jp2)
- 2.2 試料 / p19 (0014.jp2)
- 2.3 実験装置･手法 / p20 (0015.jp2)
- 3 実験結果 / p35 (0022.jp2)
- 3.1 Si(111)-7×7表面における原子放出の特徴 / p35 (0022.jp2)
- 3.2 原子放出と電子励起形態 / p41 (0025.jp2)
- 3.3 原子放出と原子結合状態 / p44 (0027.jp2)
- 4 考察 / p53 (0031.jp2)
- 4.1 実験結果のまとめ / p53 (0031.jp2)
- 4.2 放出収量の光子エネルギー依存性に関する考察 / p54 (0032.jp2)
- 4.3 原子放出のサイト依存性に関する考察 / p56 (0033.jp2)
- 4.4 放出原子のエネルギー分布に関する考察 / p57 (0033.jp2)
- 5 結論 / p61 (0035.jp2)
- Laser-Induced Bond Breaking of the Adatoms of the Si(111)-7×7 Surface / p1 (0043.jp2)
- Site-Sensitive Yield of Atomic Emission Induced by Laser Irradiation on Si(111)-7x7 Surface / p1 (0059.jp2)
- Dynamical Interaction of Surface Electron-Hole Pairs with Surface Defects:Surface Spectroscopy Monitored by Particle Emissions / p2495 (0074.jp2)
- Defect-initiated emission of Ga atoms from the GaAs(110)surface induced by pulsed laser irradiation / p6497 (0076.jp2)
- Emission of Na atoms from undamaged and slightly damaged NaCl(100)surfaces by electronic excitation / p4931 (0081.jp2)