GaAsPを主体とした格子不整合系混晶の液相ヘテロエピタキシーに関する研究

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Author

    • 鵜殿, 治彦 ウドノ, ハルヒコ

Bibliographic Information

Title

GaAsPを主体とした格子不整合系混晶の液相ヘテロエピタキシーに関する研究

Author

鵜殿, 治彦

Author(Another name)

ウドノ, ハルヒコ

University

静岡大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第130号

Degree year

1996-03-23

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 概要 / p1 (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1節 緒言 / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2節 本論文の構成 / p4 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p6 (0009.jp2)
  7. 第2章 成長実験の準備 / p9 (0010.jp2)
  8. 2.1節 実験装置 / p9 (0010.jp2)
  9. 2.2節 成長基板及び溶液の準備 / p13 (0012.jp2)
  10. 参考文献 / p17 (0014.jp2)
  11. 第3章 従来のLPE法によるGaP基板上へのGaAsP混晶の成長 / p19 (0015.jp2)
  12. 3.1節 緒言 / p19 (0015.jp2)
  13. 3.2節 成長手順 / p22 (0017.jp2)
  14. 3.3節 結果と考察 / p23 (0017.jp2)
  15. 3.4節 まとめ / p26 (0019.jp2)
  16. 参考文献 / p29 (0020.jp2)
  17. 第4章 組成変換技術について / p31 (0021.jp2)
  18. 4.1節 緒言 / p31 (0021.jp2)
  19. 4.2節 組成変換法の概要 / p31 (0021.jp2)
  20. 4.3節 応用できる成長系 / p33 (0022.jp2)
  21. 参考文献 / p35 (0023.jp2)
  22. 第5章 GaP基板上へのGaAs層の成長条件の検討 / p37 (0024.jp2)
  23. 5.1節 緒言 / p37 (0024.jp2)
  24. 5.2節 実験手順 / p38 (0025.jp2)
  25. 5.3節 回転双晶の評価方法について / p40 (0026.jp2)
  26. 5.4節 結果と考察 / p43 (0027.jp2)
  27. 5.5節 まとめ / p54 (0033.jp2)
  28. 参考文献 / p56 (0034.jp2)
  29. 第6章 組成変換によるGaAsP混晶の成長 / p57 (0034.jp2)
  30. 6.1節 緒言 / p57 (0034.jp2)
  31. 6.2節 組成変換の手順 / p57 (0034.jp2)
  32. 6.3節 GaAsP組成変換層 / p59 (0035.jp2)
  33. 6.4節 組成変換に要する時間 / p66 (0039.jp2)
  34. 6.5節 組成変換層の組成制御 / p70 (0041.jp2)
  35. 6.6節 変換前のGaAs層膜厚の変換への影響 / p72 (0042.jp2)
  36. 6.7節 Ga-As-P溶液の過飽和度 / p74 (0043.jp2)
  37. 6.8節 シミュレーションによる検討 / p78 (0045.jp2)
  38. 6.9節 まとめ / p82 (0047.jp2)
  39. 参考文献 / p83 (0047.jp2)
  40. 第7章 GaAsP混晶の厚膜化の検討 / p85 (0048.jp2)
  41. 7.1節 緒言 / p85 (0048.jp2)
  42. 7.2節 GaAsP変換層上ヘの単一徐冷 / p85 (0048.jp2)
  43. 7.3節 yo-yo溶質供給法による厚膜混晶化の検討 / p91 (0051.jp2)
  44. 7.4節 yo-yo溶質供給法による成長実験結果 / p95 (0053.jp2)
  45. 7.5節 今後の厚膜混晶化の課題 / p99 (0055.jp2)
  46. 参考文献 / p101 (0056.jp2)
  47. 第8章 他の混晶系への組成変換の応用 / p103 (0057.jp2)
  48. 8.1節 緒言 / p103 (0057.jp2)
  49. 8.2節 GaInAs on GaAs系への応用 / p104 (0058.jp2)
  50. 8.3節 結果と考察 / p106 (0059.jp2)
  51. 8.4節 まとめ / p110 (0061.jp2)
  52. 参考文献 / p112 (0062.jp2)
  53. 第9章 結論 / p115 (0063.jp2)
  54. 参考文献 / p119 (0065.jp2)
  55. 謝辞 / p121 (0066.jp2)
  56. 付録A / p122 (0067.jp2)
  57. 研究業績目録 / p123 (0067.jp2)
1access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000132031
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000966656
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000296345
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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