Ⅲ-Ⅴ族およびⅠ-Ⅲ-Ⅵ[2]族化合物半導体のフォノン分散に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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Ⅲ-Ⅴ族およびⅠ-Ⅲ-Ⅵ[2]族化合物半導体のフォノン分散に関する研究
- Author
-
小豆畑, 敬
- Author(Another name)
-
アズハタ, タカシ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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甲第1128号
- Degree year
-
1996-03-15
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序章 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 電子の散乱に対するフォノンの寄与 / p2 (0007.jp2)
- 1-2 研究の背景および従来の研究 / p3 (0008.jp2)
- 1-3 研究の目的 / p7 (0012.jp2)
- 1-4 本論文の構成 / p8 (0013.jp2)
- 第2章 III-V族閃亜鉛鉱型化合物半導体のフォノン分散I―GaAsの格子力学計算― / p21 (0026.jp2)
- 2-1 まえがき / p22 (0027.jp2)
- 2-2 格子力学計算の概説 / p22 (0027.jp2)
- 2-3 Adiabatic bond-chargeモデルの改良 / p25 (0030.jp2)
- 2-4 GaAsのフォノン分散 / p27 (0032.jp2)
- 2-5 2フォノンスペクトルと2フォノン状態密度 / p29 (0034.jp2)
- 2-6 GaAsにおける2フォノンスペクトルと2フォノン状態密度の比較 / p32 (0037.jp2)
- 2-7 まとめ / p36 (0041.jp2)
- 第3章 III-V族閃亜鉛鉱型化合物半導体のフォノン分散II / p46 (0051.jp2)
- 3-1 まえがき / p47 (0052.jp2)
- 3-2 AIAsのフォノン分散―2次ラマンスペクトルの測定および格子力学計算― / p47 (0052.jp2)
- 3-3 AlSbのフォノン分散―格子力学計算― / p51 (0056.jp2)
- 3-4 GaPのフォノン分散―2フォノンスペクトルの測定および格子力学計算― / p52 (0057.jp2)
- 3-5 まとめ / p54 (0059.jp2)
- 第4章 III-V族化合物半導体の弾性定数における経験的関係式 / p66 (0071.jp2)
- 4-1 まえがき / p67 (0072.jp2)
- 4-2 III-V族閃亜鉛鉱型化合物半導体の弾性定数 / p68 (0073.jp2)
- 4-3 III-V族ウルツ鉱型化合物半導体の弾性定数 / p70 (0075.jp2)
- 4-4 まとめ / p72 (0077.jp2)
- 第5章 ウルツ鉱型GaNのフォノン分散 / p82 (0087.jp2)
- 5-1 まえがき / p83 (0088.jp2)
- 5-2 光学活句ミフォノンの同定 / p84 (0089.jp2)
- 5-3 格子力学計算 / p90 (0095.jp2)
- 5-4 まとめ / p91 (0096.jp2)
- 第6章 I-III-VI₂族カルコパイライト型化合物半導体のフォノン分散 / p105 (0110.jp2)
- 6-1 まえがき / p106 (0111.jp2)
- 6-2 CuAlS₂のフォノン分散―格子力学計算― / p107 (0112.jp2)
- 6-3 CuAlSe₂のフォノン分散―1次･2次ラマンスペクトルの測定および格子力学計算― / p109 (0114.jp2)
- 6-4 まとめ / p110 (0115.jp2)
- 第7章 終章 / p123 (0128.jp2)
- 7-1 結論 / p124 (0129.jp2)
- 7-2 今後の課題 / p125 (0130.jp2)