共有結合物質表面・界面の構造安定性とその電子論的起源
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著者
書誌事項
- タイトル
-
共有結合物質表面・界面の構造安定性とその電子論的起源
- 著者名
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中村, 淳
- 著者別名
-
ナカムラ, ジュン
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第1140号
- 学位授与年月日
-
1996-03-15
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p2 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p5 (0006.jp2)
- 1-1 物質設計と電子状態理論 / p5 (0006.jp2)
- 1-2 本研究の目的と概要 / p6 (0007.jp2)
- 第1章の参考文献 / p8 (0009.jp2)
- 第2章 混成軌道のオービタル電気陰性度～MX₄(M=C,Si,Ge,X=F,Cl,Br,I)分子の電子状態～ / p9 (0010.jp2)
- 2-1 はじめに / p9 (0010.jp2)
- 2-2 計算方法 / p9 (0010.jp2)
- 2-3 計算結果と考察 / p11 (0012.jp2)
- 2-4 結言 / p21 (0022.jp2)
- 第2章の参考文献 / p22 (0023.jp2)
- 第3章 IV族およびIII-V族化合物半導体表面再構成の電子論的評価 / p23 (0024.jp2)
- 3-1 はじめに / p23 (0024.jp2)
- 3-2 混成軌道のs軌道成分の結合角依存性 / p26 (0027.jp2)
- 3-3 Si(001)-2×1再構成表面の電子状態 / p31 (0032.jp2)
- 3-4 III-V族化合物半導体の{111}-2×2再構成表面の電子状態 / p38 (0039.jp2)
- 3-5 結言 / p77 (0078.jp2)
- 第3章の参考文献 / p79 (0080.jp2)
- 第4章 単原子層グラファイト/SiC(111)A系不整合界面の安定性 / p82 (0083.jp2)
- 4-1 はじめに / p82 (0083.jp2)
- 4-2 MLG/β-Sic(111)A系に対する従来の研究 / p84 (0085.jp2)
- 4-3 分子軌道法によるMLG/β-SiC(111)A界面の電子状態の評価 / p93 (0094.jp2)
- 4-4 結言 / p121 (0122.jp2)
- 第4章の参考文献 / p122 (0123.jp2)
- 第5章 表面変性エピタキシーの電子論的評価 / p124 (0125.jp2)
- 5-1 はじめに / p124 (0125.jp2)
- 5-2 Ge/Si(111)-Sb系の表面変性エピタキシー過程に関する従来の研究 / p125 (0126.jp2)
- 5-3 Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbサーファクタントの効果 / p128 (0129.jp2)
- 5-4 結言 / p147 (0148.jp2)
- 第5章の参考文献 / p148 (0149.jp2)
- 第6章 総括 / p150 (0151.jp2)
- Appendix A:電子状態理論と電気陰性度 / p153 (0154.jp2)
- ★Hartree-Fock法における軌道エネルギーの意味 / p153 (0154.jp2)
- ★Xα法における軌道エネルギーの意味 / p155 (0156.jp2)
- Appendix B:電荷密度解析 / p161 (0162.jp2)
- Appendix C:MOOP(Molecular Orbital Overlap Population) / p163 (0164.jp2)
- Appendix D:LCAO-DV-Xα法 / p166 (0167.jp2)
- ★DV-Xα分子軌道法 / p166 (0167.jp2)
- ★DV-Xαバンド計算法 / p166 (0167.jp2)
- Appendix E:擬ポテンシャルを用いた全エネルギー計算 / p171 (0172.jp2)
- ★密度汎関数法 / p171 (0172.jp2)
- ★波動関数の平面波展開 / p173 (0174.jp2)
- ★ノルム保存擬ポテンシャル / p173 (0174.jp2)
- 謝辞 / p177 (0178.jp2)
- 研究業績 / p178 (0179.jp2)