Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors Al[x]Ga[1-x]As中へのイオン注入及びヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors
- タイトル別名
-
Al[x]Ga[1-x]As中へのイオン注入及びヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究
- 著者名
-
山幡, 章司
- 著者別名
-
ヤマハタ, ショウジ
- 学位授与大学
-
北海道大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
-
乙第4896号
- 学位授与年月日
-
1996-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- CONTENTS / (0003.jp2)
- Chapter1 Introduction / p1 (0005.jp2)
- 1-1.Background of ion implantation / p1 (0005.jp2)
- 1-2.Background of AlGaAs/GaAs heterostructure / p3 (0006.jp2)
- 1-3.Objective / p4 (0007.jp2)
- 1-4.Outline for the thesis / p6 (0008.jp2)
- References / p11 (0010.jp2)
- Chapter2 Be-ion implantation in AlxGa₁₋xAs / p13 (0011.jp2)
- 2-1.Introduction / p13 (0011.jp2)
- 2-2.Experimental / p14 (0012.jp2)
- 2-3.Results / p15 (0012.jp2)
- 2-4.Discussions on the low Be activity in AlxGa₁₋xAs / p31 (0020.jp2)
- 2-5.Conclusions / p34 (0022.jp2)
- References / p36 (0023.jp2)
- Chapter3 Dual implantation in AlxGa₁₋xAs / p38 (0024.jp2)
- 3-1.Introduction / p38 (0024.jp2)
- 3-2.Experimental / p38 (0024.jp2)
- 3-3.Results and discussions / p39 (0024.jp2)
- 3-4.Conclusions / p46 (0028.jp2)
- References / p47 (0028.jp2)
- Chapter4 Electrical properties of Be-ion-implanted AlxGa₁₋xAs p-n junctions / p48 (0029.jp2)
- 4-1.Introduction / p48 (0029.jp2)
- 4-2.Experimental / p49 (0029.jp2)
- 4-3.Results and discussions / p51 (0030.jp2)
- 4-4.Conclusions / p69 (0039.jp2)
- References / p70 (0040.jp2)
- Chapter5 Oxygen-ion implantation for applications to heterojunction bipolar transistors / p71 (0040.jp2)
- 5-1.Introduction / p71 (0040.jp2)
- 5-2.Characteristics of oxygen-ion-implanted AlGaAs/GaAs diodes / p79 (0044.jp2)
- 5-3.Characteristics of the oxygen-ion-implanted collector-up HBTs / p84 (0047.jp2)
- 5-4.Conclusions / p96 (0053.jp2)
- References / p98 (0054.jp2)
- Chapter6 High-performance small scale collector-up AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors / p100 (0055.jp2)
- 6-1.Introduction / p100 (0055.jp2)
- 6-2.Device fabrication process / p103 (0056.jp2)
- 6-3.DC characteristics / p103 (0056.jp2)
- 6-4.RF characteristics / p114 (0062.jp2)
- 6-5.Conclusions / p118 (0064.jp2)
- References / p119 (0064.jp2)
- Chapter7 Summary of this study / p120 (0065.jp2)
- Acknowledgment / p124 (0067.jp2)
- Appendix A InP/InGaAs collector-up heterojunction bipolar transistors fabricated using Fe-ion implantation / p125 (0067.jp2)
- A-1.Introduction / p125 (0067.jp2)
- A-2.Diode characteristics of Fe-ion-implanted InGaAs/InP p-n junctions / p126 (0068.jp2)
- A-3.Fabrication of C-up HBT using Fe-ion-implantation and regrowth / p129 (0069.jp2)
- A-4.DC and RF characteristics of C-up HBTs / p133 (0071.jp2)
- A-5.Conclusions / p133 (0071.jp2)
- References / p135 (0072.jp2)
- List of publications / p136 (0073.jp2)