有機金属気相成長法による化合物半導体の生産技術に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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有機金属気相成長法による化合物半導体の生産技術に関する研究
- 著者名
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松本, 功
- 著者別名
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マツモト, コウ
- 学位授与大学
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名古屋工業大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第97号
- 学位授与年月日
-
1996-03-15
注記・抄録
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
目次
- 目次
- 第1章 はじめに
- 1-1.はじめに
- 1-2.研究の背景;MOVPEの開発史
- 1-3.本研究の論文構成
- 第1章の参考文献
- 第2章 MOVVPE装置の構成
- 2-1.はじめに
- 2-2.装置構成と各部の構造
- 第2章の参考文献
- 第3章 流れと成長の関係
- 3-1.はじめに
- 3-2.縦型リアクタ
- 3-3.水平型リアクタのスケーリング
- 3-4.第3章のまとめ
- 3-5.付録
- 第3章の参考文献
- 第4章 量産MOVPE装置
- 4-1.はじめに
- 4-2.エピタキシャルコスト分析
- 4-3.フェースダウン量産MOVPE装置
- 4-4.第4章のまとめ
- 第4章の参考文献
- 第5章 ヘテロ界面形成と量子井戸構造の成長
- 5-1.はじめに
- 5-2. AlGaAs/GaAs量子井戸構造の成長
- 5-3. InGaP/GaAs界面の制御と量子井戸構造の成長
- 5-4.第5章のまとめ
- 5-5.付録:結晶成長のKosselモデル
- 第5章の参考文献
- 第6章 原料ガス中の不純物の影響
- 6-1.はじめに
- 6-2.AsH₃中のN型不純物の低減
- 6-3.N型AlGaAsの100meVディープ発光と水分の関係
- 6-4.第6章のまとめ
- 第6章の参考文献
- 第7章 成長様式に及ぼす不純物の影響GaAsへのCdドーピング;不純物に誘起された核発生
- 7-1.はじめに
- 7-2.実験
- 7-3.結果と考察
- 7-4.不純物に誘起された核発生があるときのドーピングモデル
- 7-5.第7章のまとめ
- 第7章の参考文献
- 第8章 結論
- 謝辞
- 本研究に関する発表論文
