超高速化合物半導体FETの実現とスケーリング限界に関する研究

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著者

    • 榎木, 孝知 エノキ, タカトモ

書誌事項

タイトル

超高速化合物半導体FETの実現とスケーリング限界に関する研究

著者名

榎木, 孝知

著者別名

エノキ, タカトモ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2835号

学位授与年月日

1996-01-31

注記・抄録

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

目次

  1. 論文目録
  2. 目次
  3. 第1章 序論
  4. §1.1 研究の背景
  5. §1.2 研究の目的
  6. 参考文献
  7. 第2章 超高速トランジスタと化合物半導体
  8. §2.1.超高速トランジスタ
  9. §2.1.1 電流利得遮断周波数
  10. §2.1.2 電力利得遮断周波数
  11. §2.1.2 雑音指数
  12. §2.2.化合物半導体
  13. 参考文献
  14. 第3章 GaAsショットキー接合型電界効果トランジスタ(MESFET)
  15. §3.1.デバイス構造と理論
  16. §3.1.1 基本構造
  17. §3.1.2 デバイスモデル
  18. §3.1.3 短チャネル効果
  19. §3.2.MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)用イオン注入MESFETの実現
  20. §3.2.1 アナログ用MESFET
  21. §3.2.2 ゲート電極の自己整合化
  22. §3.2.3 非対称型n+層構造
  23. §3.2.4 MMICへの応用
  24. §3.3.0.1μmイオン注入MESFETの実現
  25. §3.3.1 製作技術とデバイス構造
  26. §3.3.2 高濃度薄層化
  27. §3.3.3 短チャネル効果とスケーリング限界
  28. §3.3.4 高周波特性とデバイス中の電子速度
  29. §3.3.5 集積回路への応用
  30. §3.4 まとめ
  31. 参考文献
  32. 第4章 高電子移動度電界効果トランジスタ(HEMT)
  33. §4.1.デバイス構造と理論
  34. §4.1.1 基本構造
  35. §4.1.2 デバイスモデル
  36. §4.1.3 InAlAs/InGaAsヘテロ界面での電子状態
  37. §4.2.InAlAs/InGaAs HFETの製作技術
  38. §4.2.1 ノンアロイオーミックコンタクト技術
  39. §4.2.2 ウェットエッチング技術
  40. §4.2.3 電子ビーム描画技術
  41. §4.2.4 HFET製作工程
  42. §4.3.InAlAs/InGaAs HFETの特性
  43. §4.3.1 静特性
  44. §4.3.2 1-V特性におけるキンク
  45. §4.3.3 高周波特性と電子輸送特性
  46. §4.3.4 短チャネル効果とスケーリング限界
  47. §4.4.MMICへの応用
  48. §4.4.1 雑音指数
  49. §4.4.2 MMIC
  50. §4.5.まとめ
  51. 参考文献
  52. 第5章 コンポジットチャネルを用いたヘテロ接合型電界効果トランジスタ(HFET)
  53. §5.1 デバイス構造
  54. §5.2 静特性
  55. §5.3 高周波特性
  56. §5.4 遅延時間解析と電子飽和速度
  57. §5.5 まとめ
  58. 参考文献
  59. 第6章 将来性能
  60. §6.1.スケーリングによる高速化の限界
  61. §6.2.新材料による高速化
  62. §6.3.寄生効果対策
  63. §6.3.まとめ
  64. 参考文献
  65. 第7章 結論
  66. 謝辞
  67. 本研究に関する論文及び講演リスト
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500002053365
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002617382
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000301814
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

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