平行平板形コンデンサの静電容量に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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平行平板形コンデンサの静電容量に関する研究
- Author
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西山, 均
- Author(Another name)
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ニシヤマ, ヒトシ
- University
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武蔵工業大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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乙第34号
- Degree year
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1996-09-18
Note and Description
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
Table of Contents
- 目次
- §1 序論
- 1-1 はじめに
- 1-2 本論文の目的と工学的意義
- 1-3 研究問題に関する歴史的背景
- 1-4 本論文の構成
- §2 静電容量計算における境界要素法
- 2-1 はじめに
- 2-2 基本方程式
- 2-3 ラプラスの方程式のグリーン解
- 2-4 無限領域
- §3 基本電極形状における平行平板形コンデンサの静電容量
- 3-1 平行ストリップ形コンデンサの静電容量(2次元問題)
- 3-2 平行円板形コンデンサの静電容量(軸対称問題)
- 3-3 平行方形コンデンサの静電容量(3次元問題)
- §4 平行平板形コンデンサの性質
- 4-1 電極形状と静電容量
- 4-2 平行ストリップ形コンデンサ内の電圧及び電界
- §5 回路素子の静電容量と基本特性
- 5-1 マイクロストリップラインの対接地間容量
- 5-2 ストリップ導体相互間の静電容量と結合マイクロストリップラインの特性インピーダンスの簡易計算法
- 5-3 MOS FETの静電容量と基本特性(問題点と今後の研究課題)
- §6 2つの導体スポットの集中抵抗
- 6-1 はじめに
- 6-2 問題の背景
- 6-3 境界要素法による定式化
- 6-4 スポット内の電流密度
- 6-5 集中抵抗
- 6-6 まとめ
- §7 結論
- (謝辞)
- (著者の研究業績)
- (参考文献)
