シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の大規模集積回路への応用に関する研究

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著者

    • 小林, 清輝 コバヤシ, キヨテル

書誌事項

タイトル

シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の大規模集積回路への応用に関する研究

著者名

小林, 清輝

著者別名

コバヤシ, キヨテル

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5178号

学位授与年月日

1997-03-12

注記・抄録

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (論文) 学位授与年月日:平成9年3月12日

目次

  1. 目次
  2. 序
  3. 第1部 シリコン酸化膜の大規模集積回路への応用に関する研究
  4. 第1章 背景-トンネル絶縁膜に対する要求-
  5. 参考文献
  6. 第2章 比較的厚いシリコン酸化膜への正孔注入により生成する電子トラップとストレス誘起電流
  7. 2.1節 はじめに
  8. 2.2節 実験方法
  9. 2.3節 正孔注入後の131ÅのSiO₂膜に関する実験結果
  10. 2.4節 正孔注入後の比較的厚いSiO₂膜における電子捕獲機構の検討
  11. 2.5節 比較的厚いトンネルSiO₂膜の正孔捕獲がフラッシュニメモリの特性に与える影響の考察
  12. 2.6節 結言
  13. 参考文献
  14. Appendix2A(2-3)式の導出
  15. Appendix2B 変位電流成分J₂の定式化
  16. 第3章 比較的薄いシリコン酸化膜への正孔注入により発生するストレス誘起電流
  17. 3.1節 はじめに
  18. 3.2節 実験方法
  19. 3.3節 正孔注入後の60ÅのSiO₂膜に関する実験結果
  20. 3.4節 正孔注入後の比較的薄いSiO₂膜のストレス誘起リーグ電流の伝導機構に関する考察
  21. 3.5節 比較的薄いSiO₂膜のストレス誘起リーグ電流がフラッシュメモリの特性に与える影響の考察
  22. 3.6節 結言
  23. 参考文献
  24. 第4章 シリコン酸化膜へのFowler-Nordheimトンネル電子注入により生成する電子トラップとストレス誘起電流
  25. 4.1節 はじめに
  26. 4.2節 実験方法
  27. 4.3節 F-N電子注入後の131ÅのSiO₂膜に関する実験結果
  28. 4.4節 F-N電子注入後の比較的厚いSiO₂膜における電子捕獲機構の検討
  29. 4.5節 F-N電子注入後の6OÅのSiO₂に関する実験結果
  30. 4.6節 F-N電子注入後の比較的薄いSiO₂膜のストレス誘起リーク電流の発生機構に関する考察
  31. 4.7節 トンネルSiO₂膜へのF-N電子注入がフラッシュメモリの特性に与える影響の考察
  32. 4.8節 結言
  33. 参考文献
  34. 第5章 シリコン酸化膜への正孔注入により発生するストレス誘起電流のN₂0アニールによる低減
  35. 5.1節 はじめに
  36. 5.2節 実験方法
  37. 5.3節 窒化SiO₂膜中の窒素分布
  38. 5.4節 F-N電子注入後の窒化SiO₂膜に関する実験結果
  39. 5.5節 正孔注入後の窒化SiO₂膜に関する実験結果
  40. 5.6節 結言
  41. 参考文献
  42. 第6章 Fowler-Nordheimトンネル電子注入時に現れる基板正孔電流のSiO₂膜厚と電界に対する依存性
  43. 6.1節 はじめに
  44. 6.2節 試料作成
  45. 6.3節 nチャネルMOSFETの基板正孔電流のモデル
  46. 6.4節 SiO₂膜から陽極へ注入された電子のエネルギーの決定
  47. 6.5節 基板正孔電流の計算
  48. 6.6節 結言
  49. 参考文献
  50. Appendix6A(6-2)式の導出
  51. Appendix6B(6-14)式の導出
  52. Appendix6C 電子の平均エネルギーWavɡ
  53. 第7章 シリコン酸化膜の経時絶縁破壊特性の面積依存性
  54. 7.1節 はじめに
  55. 7.2節 試料作成
  56. 7.3節 実験結果と考察
  57. 7.4節 結言
  58. 参考文献
  59. Appendix7A ワイブルプロット
  60. 第8章 素子分離のための局所酸化によってシリコン基板に誘起される応力の解析
  61. 8.1節 はじめに
  62. 8.2節 実験方法
  63. 8.3節 実験結果
  64. 8.4節 考察
  65. 8.5節 結言
  66. 参考文献
  67. 第2部 シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の高集積DRAMへの応用に関する研究
  68. 第9章 背景-DRAMのキャパシタ誘電体膜開発における課題-
  69. 9.1節 キャパシタ誘電体膜に対する要求
  70. 9.2節 キャパシタ構造の変遷
  71. 参考文献
  72. 第10章 n⁺シリコン表面に形成されたキャパシタ誘電体膜の絶縁破壊特性
  73. 10.1節 n⁺拡散層を熱酸化して得られるシリコン酸化膜の絶縁破壊特性
  74. 10.1.1 プレナーキャパシタのn⁺拡散層に対する要求
  75. 10.1.2 試料作成方法
  76. 10.1.3 n⁺拡散層表面を熱酸化して得られるシリコン酸化膜の電気的性質
  77. 10.2節 n⁺ポリシリコン表面に減圧CVD法で堆積したシリコン酸化膜の絶縁破壊
  78. 10.2.1 n⁺ポリシリコン表面の誘電体膜に対する要求
  79. 10.2.2 試料作成方法
  80. 10.2.3 実験結果と考察
  81. 10.3節 シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜構造の検討
  82. 10.4節 結言
  83. 参考文献
  84. 第11章 シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜の電気伝導と絶縁破壊特性に対する上部酸化膜と下部酸化膜の影響
  85. 11.1節 はじめに
  86. 11.2節 実験方法
  87. 11.3節 厚い上部･下部酸化膜による酸化膜-窒化膜-酸化膜積層構造の伝導電流の減少
  88. 11.4節 窒化膜と酸化膜の積層構造における絶縁破壊特性
  89. 11.4.1 絶縁破壊寿命の下部･上部酸化膜厚に対する依存性
  90. 11.4.2 絶縁破壊寿命の温度依存性
  91. 11.5節 結言
  92. 参考文献
  93. Appendix11A シリコン窒化膜(Si₃N₄)表面を熱酸化して得られる上部酸化膜の膜厚の見積もり方法
  94. 第12章 極めて薄いシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜-シリコン窒化膜積層膜の電気伝導
  95. 12.1節 はじめに
  96. 12.2節 試料作成
  97. 12.3節 実験結果と考察
  98. 12.4節 結言
  99. 参考文献
  100. 第13章 枚葉式シリコン窒化膜CVD装置による極薄酸化膜-窒化膜積層膜の形成
  101. 13.1節 はじめに
  102. 13.2節 枚葉式窒化膜CVD装置の概要
  103. 13.3節 試料作成
  104. 13.4節 In-situH₂処理による下部酸化膜厚の低減
  105. 13.5節 枚葉式CVD装置によって形成された酸化膜-窒化膜積層膜の絶縁性と経時絶縁破壊特性
  106. 13.6節 枚葉式窒化膜CVD装置の円筒型キャパシタヘの応用
  107. 13.7節 結言
  108. 参考文献
  109. 結論
  110. 謝辞
  111. 研究業績目録
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500001593975
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002123498
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000311569
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

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