GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究
- 著者名
-
田村, 彰良
- 著者別名
-
タムラ, アキヨシ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第7082号
- 学位授与年月日
-
1997-01-16
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p5 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p4 (0009.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p4 (0009.jp2)
- 参考文献 / p7 (0010.jp2)
- 第2章 GaAsイオン注入層のアニール / p9 (0011.jp2)
- 2.1 緒言 / p9 (0011.jp2)
- 2.2 Siイオン注入GaAs層のキャリア濃度プロファイルとアニール特性 / p10 (0012.jp2)
- 2.3 2インチGaAs基板のRTA / p21 (0017.jp2)
- 2.4 GaドープSOG膜を用いたSiイオン注入GaAs層のRTA / p33 (0023.jp2)
- 2.5 プラズマ処理を施したSiイオン注入GaAs層のRTA / p38 (0026.jp2)
- 2.6 Siイオン注入GaAs層のWSiN/SiO₂キャップアニール / p46 (0030.jp2)
- 2.7 結言 / p53 (0033.jp2)
- 参考文献 / p56 (0035.jp2)
- 第3章 GaAsの分子イオン注入 / p59 (0036.jp2)
- 3.1 緒言 / p59 (0036.jp2)
- 3.2 GaAsのSiFx､SFx(x=1,2,3)分子イオン注入層の性質 / p60 (0037.jp2)
- 3.3 SiF₃分子イオン注入GaAs層の高活性化アニール / p69 (0041.jp2)
- 3.4 SiF₃分子イオン注入による高K値LDD構造GaAsMESFET / p73 (0043.jp2)
- 3.5 結言 / p80 (0047.jp2)
- 参考文献 / p82 (0048.jp2)
- 第4章 GaAsデジタルICプロセス / p83 (0048.jp2)
- 4.1 緒言 / p83 (0048.jp2)
- 4.2 GaAsMESFETの動作原理 / p83 (0048.jp2)
- 4.3 Pt埋め込みゲート高gmFETプロセス / p89 (0051.jp2)
- 4.4 デジタルICへの応用 / p107 (0060.jp2)
- 4.5 結言 / p127 (0070.jp2)
- 参考文献 / p128 (0071.jp2)
- 第5章 GaAsアナログICプロセス / p130 (0072.jp2)
- 5.1 緒言 / p130 (0072.jp2)
- 5.2 1.0μmWSiゲートn+層非対称LDD構造SAFETプロセス / p131 (0072.jp2)
- 5.3 0.5μmWSiゲートn+層非対称BP-LDD構造SAFETプロセス / p151 (0082.jp2)
- 5.4 高誘電率薄膜容量素子内蔵GaAsMMICプロセス / p167 (0090.jp2)
- 5.5 結言 / p182 (0098.jp2)
- 参考文献 / p184 (0099.jp2)
- 第6章 結論 / p186 (0100.jp2)
- 謝辞 / p191 (0102.jp2)
- 研究業績 / p192 (0103.jp2)
