GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究

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著者

    • 田村, 彰良 タムラ, アキヨシ

書誌事項

タイトル

GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究

著者名

田村, 彰良

著者別名

タムラ, アキヨシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7082号

学位授与年月日

1997-01-16

注記・抄録

博士論文

14401乙第07082号

博士(工学)

大阪大学

1997-01-16

12781

目次

  1. 目次 / p5 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p4 (0009.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p4 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p7 (0010.jp2)
  7. 第2章 GaAsイオン注入層のアニール / p9 (0011.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p9 (0011.jp2)
  9. 2.2 Siイオン注入GaAs層のキャリア濃度プロファイルとアニール特性 / p10 (0012.jp2)
  10. 2.3 2インチGaAs基板のRTA / p21 (0017.jp2)
  11. 2.4 GaドープSOG膜を用いたSiイオン注入GaAs層のRTA / p33 (0023.jp2)
  12. 2.5 プラズマ処理を施したSiイオン注入GaAs層のRTA / p38 (0026.jp2)
  13. 2.6 Siイオン注入GaAs層のWSiN/SiO₂キャップアニール / p46 (0030.jp2)
  14. 2.7 結言 / p53 (0033.jp2)
  15. 参考文献 / p56 (0035.jp2)
  16. 第3章 GaAsの分子イオン注入 / p59 (0036.jp2)
  17. 3.1 緒言 / p59 (0036.jp2)
  18. 3.2 GaAsのSiFx、SFx(x=1,2,3)分子イオン注入層の性質 / p60 (0037.jp2)
  19. 3.3 SiF₃分子イオン注入GaAs層の高活性化アニール / p69 (0041.jp2)
  20. 3.4 SiF₃分子イオン注入による高K値LDD構造GaAsMESFET / p73 (0043.jp2)
  21. 3.5 結言 / p80 (0047.jp2)
  22. 参考文献 / p82 (0048.jp2)
  23. 第4章 GaAsデジタルICプロセス / p83 (0048.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p83 (0048.jp2)
  25. 4.2 GaAsMESFETの動作原理 / p83 (0048.jp2)
  26. 4.3 Pt埋め込みゲート高gmFETプロセス / p89 (0051.jp2)
  27. 4.4 デジタルICへの応用 / p107 (0060.jp2)
  28. 4.5 結言 / p127 (0070.jp2)
  29. 参考文献 / p128 (0071.jp2)
  30. 第5章 GaAsアナログICプロセス / p130 (0072.jp2)
  31. 5.1 緒言 / p130 (0072.jp2)
  32. 5.2 1.0μmWSiゲートn+層非対称LDD構造SAFETプロセス / p131 (0072.jp2)
  33. 5.3 0.5μmWSiゲートn+層非対称BP-LDD構造SAFETプロセス / p151 (0082.jp2)
  34. 5.4 高誘電率薄膜容量素子内蔵GaAsMMICプロセス / p167 (0090.jp2)
  35. 5.5 結言 / p182 (0098.jp2)
  36. 参考文献 / p184 (0099.jp2)
  37. 第6章 結論 / p186 (0100.jp2)
  38. 謝辞 / p191 (0102.jp2)
  39. 研究業績 / p192 (0103.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150054
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001060908
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000314368
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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