ヘテロ接合バイポーラトランジスタ高性能化のための分子線エピタキシャル成長に関する研究

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著者

    • 和泉, 茂一 イズミ, シゲカズ

書誌事項

タイトル

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ高性能化のための分子線エピタキシャル成長に関する研究

著者名

和泉, 茂一

著者別名

イズミ, シゲカズ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7151号

学位授与年月日

1997-03-18

注記・抄録

博士論文

14401乙第07151号

博士(工学)

大阪大学

1997-03-18

12858

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の意義と目的 / p4 (0007.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成と内容 / p6 (0008.jp2)
  7. 参考文献 / p7 (0008.jp2)
  8. 第2章 高品質MBE成長におけるAsクラッキングの効果 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.1 緒言 / p9 (0009.jp2)
  10. 2.2 実験装置 / p9 (0009.jp2)
  11. 2.3 MBE成長における表面欠陥の分類 / p11 (0010.jp2)
  12. 2.4 表面欠陥の低減 / p14 (0012.jp2)
  13. 2.5 Asクラッキングセルを用いて成長したGaAs及びAlGaAsの結晶評価 / p26 (0018.jp2)
  14. 2.6 デバイスへの応用 / p34 (0022.jp2)
  15. 2.7 結言 / p36 (0023.jp2)
  16. 参考文献 / p37 (0023.jp2)
  17. 第3章 基板/MBE成長層界面でのキャリア蓄積機構 / p39 (0024.jp2)
  18. 3.1 緒言 / p39 (0024.jp2)
  19. 3.2 GaAs基板/MBE成長層界面キャリア蓄積のデバイスへの影響 / p40 (0025.jp2)
  20. 3.3 GaAs基板/MBE成長層界面のキャリア蓄積機構 / p44 (0027.jp2)
  21. 3.4 GaAs基板/MBE成長層界面蓄積ドナー型不純物の不活性化機構 / p46 (0028.jp2)
  22. 3.5 GaAs基板/MBE成長層界面蓄積不純物の発生原因 / p49 (0029.jp2)
  23. 3.6 MBE成長プロセスにおける前処理フリー化 / p51 (0030.jp2)
  24. 3.7 結言 / p53 (0031.jp2)
  25. 参考文献 / p55 (0032.jp2)
  26. 第4章 HBTにおける直流電流増幅率βの決定要因 / p56 (0033.jp2)
  27. 4.1 緒言 / p56 (0033.jp2)
  28. 4.2 HBTにおける直流電流増幅率β / p56 (0033.jp2)
  29. 4.3 直流電流増幅率βの分類 / p58 (0034.jp2)
  30. 4.4 直流電流増幅率βの決定要因 / p62 (0036.jp2)
  31. 4.5 結言 / p69 (0039.jp2)
  32. 参考文献 / p70 (0040.jp2)
  33. 第5章 格子不整合系InGaAsのHBTエミッタコンタクト層への適用 / p71 (0040.jp2)
  34. 5.1 緒言 / p71 (0040.jp2)
  35. 5.2 HBTの高周波特性とエミッタコンタクト抵抗 / p72 (0041.jp2)
  36. 5.3 GaAs上InGaAsの表面平坦性の改善と低抵抗コンタクトの形成 / p73 (0041.jp2)
  37. 5.4 格子不整合系InGaAs/AlGaAsヘテロ界面近傍のICTSによる評価 / p78 (0044.jp2)
  38. 5.5 結言 / p85 (0047.jp2)
  39. 参考文献 / p86 (0048.jp2)
  40. 第6章 高出力HBTの試作 / p87 (0048.jp2)
  41. 6.1 緒言 / p87 (0048.jp2)
  42. 6.2 高出力増幅器用途としてのHBTの開発 / p87 (0048.jp2)
  43. 6.3 高出力HBTの試作 / p88 (0049.jp2)
  44. 6.4 試作した高出力HBTの特性評価 / p92 (0051.jp2)
  45. 6.5 結言 / p93 (0051.jp2)
  46. 参考文献 / p94 (0052.jp2)
  47. 第7章 結論 / p95 (0052.jp2)
  48. 謝辞 / p99 (0054.jp2)
  49. 付録 / p100 (0055.jp2)
  50. 付録1 GaAs低温PL(4.2K)で観察される発光 / p100 (0055.jp2)
  51. 付録2 Berreman効果について / p101 (0055.jp2)
  52. 研究業績目録 / p103 (0056.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150123
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001060977
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000314437
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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