化合物半導体表面吸着構造の軟X線定在波解析
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著者
書誌事項
- タイトル
-
化合物半導体表面吸着構造の軟X線定在波解析
- 著者名
-
杉山, 宗弘
- 著者別名
-
スギヤマ, ムネヒロ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第7163号
- 学位授与年月日
-
1997-03-18
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 1 序論 / p1 (0005.jp2)
- 2 軟X線定在波法 / p8 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p8 (0009.jp2)
- 2.2 X線定在波法の概要 / p8 (0009.jp2)
- 2.3 軟X線定在波解析に用いる理論計算式 / p12 (0011.jp2)
- 2.4 軟X線定在波法の特徴 / p29 (0019.jp2)
- 2.5 結言 / p35 (0022.jp2)
- 3 軟X線定在波解析装置の開発 / p38 (0024.jp2)
- 3.1 緒言 / p38 (0024.jp2)
- 3.2 放射光軟X線ビームラインの概要 / p39 (0024.jp2)
- 3.3 開発した軟X線定在波測定装置の構成 / p40 (0025.jp2)
- 3.4 結言 / p46 (0028.jp2)
- 4 硫黄処理GaAs(001)表面の解析 / p48 (0029.jp2)
- 4.1 緒言 / p48 (0029.jp2)
- 4.2 硫黄処理GaAs(001)表面について / p49 (0029.jp2)
- 4.3 硫黄処理GaAs(001)表面の軟X線定在波解析 / p52 (0031.jp2)
- 4.4 結言 / p59 (0034.jp2)
- 5 硫黄処理GaAs{111}表面･界面の解析 / p62 (0036.jp2)
- 5.1 緒言 / p62 (0036.jp2)
- 5.2 硫黄処理GaAs{111}表面の軟X線定在波解析 / p63 (0036.jp2)
- 5.3 SrF₂/S/GaAs{111}界面の軟X線定在波解析 / p72 (0041.jp2)
- 5.4 結言 / p76 (0043.jp2)
- 6 Sb終端GaAs(001)-(2×4)表面の解析 / p79 (0044.jp2)
- 6.1 緒言 / p79 (0044.jp2)
- 6.2 Sb終端GaAs(001)-(2×4)表面の作製 / p80 (0045.jp2)
- 6.3 Sb終端GaAs(001)-(2×4)表面の背面反射X線定在波解析 / p81 (0045.jp2)
- 6.4 結言 / p88 (0049.jp2)
- 7 Si吸着GaAs(001)表面の解析 / p91 (0050.jp2)
- 7.1 緒言 / p91 (0050.jp2)
- 7.2 Si吸着GaAs(001)表面の作製 / p92 (0051.jp2)
- 7.3 Si吸着GaAs(001)表面の背面反射X線定在波解析 / p93 (0051.jp2)
- 7.4 結言 / p99 (0054.jp2)
- 8 化学状態識別X線定在波法の開発 / p102 (0056.jp2)
- 8.1 緒言 / p102 (0056.jp2)
- 8.2 光電子分光X線定在波法 / p103 (0056.jp2)
- 8.3 吸収端X線定在波法 / p107 (0058.jp2)
- 8.4 結言 / p113 (0061.jp2)
- 9 結論 / p116 (0063.jp2)
- 謝辞 / p120 (0065.jp2)
- 研究業績目録 / p122 (0066.jp2)
