磁気光学ガーネット導波路と非相反デバイスへの応用に関する研究

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著者

    • 杉本, 直登 スギモト, ナオト

書誌事項

タイトル

磁気光学ガーネット導波路と非相反デバイスへの応用に関する研究

著者名

杉本, 直登

著者別名

スギモト, ナオト

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7209号

学位授与年月日

1997-03-25

注記・抄録

博士論文

14401乙第07209号

博士(工学)

大阪大学

1997-03-25

13275

目次

  1. 目次 / p7 (0006.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1-1 研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1-2 論文の構成 / p4 (0009.jp2)
  5. 第2章 La,Ga置換イットリウム鉄ガーネット膜の特性と成長条件の関係 / p6 (0010.jp2)
  6. 2-1 まえがき / p6 (0010.jp2)
  7. 2-2 本章の背景と課題 / p6 (0010.jp2)
  8. 2-3 単結晶膜の作製 / p9 (0011.jp2)
  9. 2-4 格子定数と磁気特性の評価 / p13 (0013.jp2)
  10. 2-5 光学特性の評価 / p15 (0014.jp2)
  11. 2-6 まとめ / p17 (0015.jp2)
  12. 第3章 ガーネットの加工法に関する検討 / p18 (0016.jp2)
  13. 3-1 まえがき / p18 (0016.jp2)
  14. 3-2 本章の背景と課題 / p18 (0016.jp2)
  15. 3-3 反応性イオンビームエッチングの適用 / p21 (0017.jp2)
  16. 3-4 イオンビームエッチングにおけるエッチングマスクに関する検討 / p26 (0020.jp2)
  17. 3-5 まとめ / p42 (0028.jp2)
  18. 第4章 磁気光学ガーネット埋込み型導波路の作製 / p44 (0029.jp2)
  19. 4-1 まえがき / p44 (0029.jp2)
  20. 4-2 本章の背景と課題 / p44 (0029.jp2)
  21. 4-3 埋込み型導波路の作製と評価 / p46 (0030.jp2)
  22. 4-4 メルト組成による屈折率制御と燐酸処理による伝搬損失の向上 / p56 (0035.jp2)
  23. 4-5 (100)基板上への導波路の作製 / p61 (0037.jp2)
  24. 4-6 まとめ / p64 (0039.jp2)
  25. 第5章 磁気光学導波路素子の作製 / p65 (0039.jp2)
  26. 5-1 まえがき / p65 (0039.jp2)
  27. 5-2 本章の背景と課題 / p65 (0039.jp2)
  28. 5-3 非相反導波路回転子 / p67 (0040.jp2)
  29. 5-4 導波路方向性結合器 / p79 (0046.jp2)
  30. 5-5 まとめ / p83 (0048.jp2)
  31. 第6章 ハイブリッド集積型光アイソレータ / p84 (0049.jp2)
  32. 6-1 まえがき / p84 (0049.jp2)
  33. 6-2 本章の背景と課題 / p84 (0049.jp2)
  34. 6-3 デバイスの基本構造と動作原理 / p87 (0050.jp2)
  35. 6-4 光アイソレータの作製 / p89 (0051.jp2)
  36. 6-5 まとめ / p99 (0056.jp2)
  37. 第7章 結論 / p100 (0057.jp2)
  38. 謝辞 / p103 (0058.jp2)
  39. 参考文献 / p105 (0059.jp2)
  40. 研究業績目録 / p109 (0061.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150181
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001061035
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000314495
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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