化学増幅ポジ型3成分系電子線レジストの設計と開発 カガクゾウフクポジガタⅢセイブンケイ デンシセンレジスト ノ セッケイ ト カイハツ

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著者

    • 堀邊, 英夫 ホリベ, ヒデオ

書誌事項

タイトル

化学増幅ポジ型3成分系電子線レジストの設計と開発

タイトル別名

カガクゾウフクポジガタⅢセイブンケイ デンシセンレジスト ノ セッケイ ト カイハツ

著者名

堀邊, 英夫

著者別名

ホリベ, ヒデオ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7245号

学位授与年月日

1997-05-23

注記・抄録

博士論文

14401乙第07245号

博士(工学)

大阪大学

1997-05-23

13311

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p3 (0010.jp2)
  5. 1.3 本研究の構成 / p4 (0011.jp2)
  6. 第1章の引用文献 / p7 (0014.jp2)
  7. 第2章 ベース樹脂の設計―部分修飾によるレジスト特性の制御と最適化― / p9 (0016.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p9 (0016.jp2)
  9. 2.2 実験 / p11 (0018.jp2)
  10. 2.3 結果と考察 / p14 (0021.jp2)
  11. 2.4 結言 / p30 (0037.jp2)
  12. 第2章の引用文献 / p32 (0039.jp2)
  13. 第3章 溶解抑制剤の設計―未露光部の溶解抑制によるレジスト高解像度化― / p33 (0040.jp2)
  14. 3-1.フェノール系溶解抑制剤と未露光部の溶解速度との関係 / p33 (0040.jp2)
  15. 3-2.溶解抑制剤の化学構造と未露光部の溶解速度との関係 / p54 (0061.jp2)
  16. 3-3.力ルボン酸系溶解抑制剤と未露光部の溶解速度との関係 / p70 (0077.jp2)
  17. 第3章の引用文献 / p94 (0101.jp2)
  18. 第4章 溶解抑制剤の設計―露光部の溶解促進によるレジスト高解像度化― / p96 (0103.jp2)
  19. 4-1.溶解促進剤のpKaと露光部の溶解速度との関係 / p96 (0103.jp2)
  20. 4-2.溶解促進剤の化学構造とレジスト特性との関係 / p109 (0116.jp2)
  21. 第4章の引用文献 / p125 (0132.jp2)
  22. 第5章 酸発生剤の設計―レジスト高感度化― / p126 (0133.jp2)
  23. 5.1 緒言 / p126 (0133.jp2)
  24. 5.2 実験 / p127 (0134.jp2)
  25. 5.3 結果と考察 / p130 (0137.jp2)
  26. 5.4 結言 / p145 (0152.jp2)
  27. 第5章の引用文献 / p146 (0153.jp2)
  28. 第6章 高感度・高解像度レジストの開発 / p148 (0155.jp2)
  29. 6.1 レジスト材料の設計指針の統括 / p148 (0155.jp2)
  30. 6.2 開発レジストのプロセスフロー / p149 (0156.jp2)
  31. 6.3 開発レジストのレジスト特性 / p152 (0159.jp2)
  32. 第6章の引用文献 / p156 (0163.jp2)
  33. 第7章 総括 / p157 (0164.jp2)
  34. 7.1 本研究の結論 / p157 (0164.jp2)
  35. 7.2 今後の展望 / p158 (0165.jp2)
  36. 謝辞 / p160 (0167.jp2)
  37. 研究業績目録 / p161 (0168.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150217
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001061071
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000314531
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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