AlGaInP系630 nm帯赤色半導体レーザの高性能化に関する研究

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著者

    • 庄野, 昌幸 ショウノ, マサユキ

書誌事項

タイトル

AlGaInP系630 nm帯赤色半導体レーザの高性能化に関する研究

著者名

庄野, 昌幸

著者別名

ショウノ, マサユキ

学位授与大学

神戸大学

取得学位

博士 (学術)

学位授与番号

乙第2071号

学位授与年月日

1996-09-18

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p4 (0005.jp2)
  3. 1.1 まえがき / p4 (0005.jp2)
  4. 1.2 半導体レーザの研究の歴史と基本原理 / p4 (0005.jp2)
  5. 1.3 本研究の背景と意義 / p13 (0010.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成と概要 / p17 (0012.jp2)
  7. 1.5 まとめ / p18 (0012.jp2)
  8. 参考文献 / p19 (0013.jp2)
  9. 第2章 有機金属気相成長法によるAlGaInP結晶の成長技術と630nm帯赤色半導体レーザ作製技術 / p22 (0014.jp2)
  10. 2.1 まえがき / p22 (0014.jp2)
  11. 2.2 有機金属気相成長法によるAlGaInP結晶の作製 / p22 (0014.jp2)
  12. 2.3 傾斜基板上へのAlGaInP結晶の成長 / p27 (0017.jp2)
  13. 2.4 埋め込みリッジ構造630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p40 (0023.jp2)
  14. 2.5 まとめ / p49 (0028.jp2)
  15. 参考文献 / p50 (0028.jp2)
  16. 第3章 630nm帯赤色半導体レーザの低しきい値電流化 / p51 (0029.jp2)
  17. 3.1 まえがき / p51 (0029.jp2)
  18. 3.2 多重量子井戸活性層を有する630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p51 (0029.jp2)
  19. 3.3 歪多重量子井戸活性層を有する630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p58 (0033.jp2)
  20. 3.4 歪補償型MQW活性層を有する630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p62 (0035.jp2)
  21. 3.5 まとめ / p75 (0041.jp2)
  22. 参考文献 / p79 (0043.jp2)
  23. 第4章 630nm帯赤色半導体レーザの高出力化 / p81 (0044.jp2)
  24. 4.1 まえがき / p81 (0044.jp2)
  25. 4.2 630nm帯赤色半導体レーザの高出力化と端面非注入構造 / p81 (0044.jp2)
  26. 4.3 端面非注入構造を有する630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p87 (0047.jp2)
  27. 4.4 まとめ / p95 (0051.jp2)
  28. 参考文献 / p96 (0052.jp2)
  29. 第5章 結論 / p97 (0052.jp2)
  30. 謝辞 / p99 (0053.jp2)
  31. 著者発表論文 / p100 (0054.jp2)
  32. 本研究に関する学会講演 / p102 (0055.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150710
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001061551
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315024
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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