窒素ガスドーピング法によるZnSe系材料の導電性制御と短波長発光素子の開発に関する研究

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著者

    • 菱田, 有二 ヒシダ, ユウジ

書誌事項

タイトル

窒素ガスドーピング法によるZnSe系材料の導電性制御と短波長発光素子の開発に関する研究

著者名

菱田, 有二

著者別名

ヒシダ, ユウジ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5223号

学位授与年月日

1997-04-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p5 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p5 (0005.jp2)
  4. 1.2 短波長半導体レーザー及びLEDの研究開発状況 / p6 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p13 (0009.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成 / p14 (0010.jp2)
  7. 参考文献 / p15 (0010.jp2)
  8. 第2章 分子線エピタキシャル法の原理と実験装置 / p18 (0012.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p18 (0012.jp2)
  10. 2.2 分子線エピタキシャル法の原理と特徴 / p18 (0012.jp2)
  11. 2.3 MBE装置 / p19 (0012.jp2)
  12. 2.4 MBE成長の概要 / p24 (0015.jp2)
  13. 参考文献 / p25 (0015.jp2)
  14. 第3章 窒素ガスドーピング法による分子線エピタキシャル成長ZnSeのp型導電性制御 / p26 (0016.jp2)
  15. 3.1 はじめに / p26 (0016.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p28 (0017.jp2)
  17. 3.3 結果及び考察 / p29 (0017.jp2)
  18. 3.4 結論 / p46 (0026.jp2)
  19. 参考文献 / p48 (0027.jp2)
  20. 第4章 窒素ガスドーピング法を用いたZnSe系短波長発光素子の作製 / p50 (0028.jp2)
  21. 4.1 はじめに / p50 (0028.jp2)
  22. 4.2 実験方法 / p50 (0028.jp2)
  23. 4.3 結果と考察 / p54 (0030.jp2)
  24. 4.4 結論 / p62 (0034.jp2)
  25. 参考文献 / p63 (0034.jp2)
  26. 第5章 ZnSe系短波長発光素子の特性向上 / p64 (0035.jp2)
  27. 5.1 はじめに / p64 (0035.jp2)
  28. 5.2 GaNバッファ層挿入によるp-ZnSe/p-GaAs界面の非オーム性障壁の低減 / p73 (0039.jp2)
  29. 5.3 P及びLiドーピングによる分子線エピタキシャル成長ZnTeのp型導電性制御 / p87 (0046.jp2)
  30. 5.4 MBE成長ZnSe単結晶膜の結晶性に対するミスフィット効果 / p108 (0057.jp2)
  31. 5.5 Seビーム照射処理によるホモエピタキシャルZnSe膜の高純度化 / p119 (0062.jp2)
  32. 5.6 結論 / p130 (0068.jp2)
  33. 参考文献 / p132 (0069.jp2)
  34. 第6章 結論 / p137 (0071.jp2)
  35. 謝辞 / p143 (0074.jp2)
  36. 論文・学会発表リスト / p145 (0075.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151179
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068129
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315493
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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