窒素ガスドーピング法によるZnSe系材料の導電性制御と短波長発光素子の開発に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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窒素ガスドーピング法によるZnSe系材料の導電性制御と短波長発光素子の開発に関する研究
- Author
-
菱田, 有二
- Author(Another name)
-
ヒシダ, ユウジ
- University
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名古屋大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第5223号
- Degree year
-
1997-04-30
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p5 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p5 (0005.jp2)
- 1.2 短波長半導体レーザー及びLEDの研究開発状況 / p6 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p13 (0009.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p14 (0010.jp2)
- 参考文献 / p15 (0010.jp2)
- 第2章 分子線エピタキシャル法の原理と実験装置 / p18 (0012.jp2)
- 2.1 はじめに / p18 (0012.jp2)
- 2.2 分子線エピタキシャル法の原理と特徴 / p18 (0012.jp2)
- 2.3 MBE装置 / p19 (0012.jp2)
- 2.4 MBE成長の概要 / p24 (0015.jp2)
- 参考文献 / p25 (0015.jp2)
- 第3章 窒素ガスドーピング法による分子線エピタキシャル成長ZnSeのp型導電性制御 / p26 (0016.jp2)
- 3.1 はじめに / p26 (0016.jp2)
- 3.2 実験方法 / p28 (0017.jp2)
- 3.3 結果及び考察 / p29 (0017.jp2)
- 3.4 結論 / p46 (0026.jp2)
- 参考文献 / p48 (0027.jp2)
- 第4章 窒素ガスドーピング法を用いたZnSe系短波長発光素子の作製 / p50 (0028.jp2)
- 4.1 はじめに / p50 (0028.jp2)
- 4.2 実験方法 / p50 (0028.jp2)
- 4.3 結果と考察 / p54 (0030.jp2)
- 4.4 結論 / p62 (0034.jp2)
- 参考文献 / p63 (0034.jp2)
- 第5章 ZnSe系短波長発光素子の特性向上 / p64 (0035.jp2)
- 5.1 はじめに / p64 (0035.jp2)
- 5.2 GaNバッファ層挿入によるp-ZnSe/p-GaAs界面の非オーム性障壁の低減 / p73 (0039.jp2)
- 5.3 P及びLiドーピングによる分子線エピタキシャル成長ZnTeのp型導電性制御 / p87 (0046.jp2)
- 5.4 MBE成長ZnSe単結晶膜の結晶性に対するミスフィット効果 / p108 (0057.jp2)
- 5.5 Seビーム照射処理によるホモエピタキシャルZnSe膜の高純度化 / p119 (0062.jp2)
- 5.6 結論 / p130 (0068.jp2)
- 参考文献 / p132 (0069.jp2)
- 第6章 結論 / p137 (0071.jp2)
- 謝辞 / p143 (0074.jp2)
- 論文･学会発表リスト / p145 (0075.jp2)