半導性SnO[2]-ガラス系複合体の電気的特性に及ぼす微細構造の影響

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著者

    • 塩見, 治久 シオミ, ハルヒサ

書誌事項

タイトル

半導性SnO[2]-ガラス系複合体の電気的特性に及ぼす微細構造の影響

著者名

塩見, 治久

著者別名

シオミ, ハルヒサ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第3082号

学位授与年月日

1997-09-17

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1章 序章 / (0006.jp2)
  4. 1.研究の背景と目的 / p1 (0006.jp2)
  5. 2.参考文献 / p5 (0008.jp2)
  6. 第2章 ガラス複合体内部導電組織のモデル的検討 / p11 (0011.jp2)
  7. 1.導電組織モデル / p11 (0011.jp2)
  8. 2.参考文献 / p22 (0017.jp2)
  9. 第3章 SnO₂-ガラス系複合体の電気的特性と微細構造の関連性 / p24 (0018.jp2)
  10. 1.緒言 / p24 (0018.jp2)
  11. 2.実験方法 / p26 (0019.jp2)
  12. 3.結果と考察 / p37 (0024.jp2)
  13. 4.総括 / p61 (0036.jp2)
  14. 5.参考文献 / p63 (0037.jp2)
  15. 第4章 メカノケミカル反応により調製したSnO₂系半導性微粒子を用いたガラス複合体の電気的特性に及ぼす微細構造の影響 / p65 (0038.jp2)
  16. 1.緒言 / p65 (0038.jp2)
  17. 2.実験方法 / p66 (0039.jp2)
  18. 3.結果と考察 / p73 (0042.jp2)
  19. 4.総括 / p109 (0060.jp2)
  20. 5.参考文献 / p111 (0061.jp2)
  21. 第5章 ゾル・ゲル法により調製したSnO₂-ガラス系複合体の電気的特性に及ぼす微細構造の影響 / p113 (0062.jp2)
  22. 1.緒言 / p113 (0062.jp2)
  23. 2.実験方法 / p114 (0063.jp2)
  24. 3.結果と考察 / p117 (0064.jp2)
  25. 4.総括 / p125 (0068.jp2)
  26. 5.参考文献 / p126 (0069.jp2)
  27. 第6章 SnO₂系厚膜抵抗体の微細構造および電気的特性に及ぼす基板およびガラス組成影響 / p128 (0070.jp2)
  28. 1.緒言 / p128 (0070.jp2)
  29. 2.実験方法 / p129 (0070.jp2)
  30. 3.結果と考察 / p132 (0072.jp2)
  31. 4.総括 / p144 (0078.jp2)
  32. 5.参考文献 / p144 (0078.jp2)
  33. 第7章 SnO₂-ガラス系複合体の電気的特性の制御―SnO₂微粒子被覆金属粒子を用いたガラス複合体の微細構造と電気的特性― / p146 (0079.jp2)
  34. 1.緒言 / p146 (0079.jp2)
  35. 2.実験方法 / p147 (0079.jp2)
  36. 3.結果と考察 / p149 (0080.jp2)
  37. 4.総括 / p159 (0085.jp2)
  38. 5.参考文献 / p160 (0086.jp2)
  39. 第8章 総括 / p161 (0086.jp2)
  40. 謝辞 / p164 (0088.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151290
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068238
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315604
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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