容量-電圧特性の非接触測定に基づく半導体表面の評価法とその応用

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著者

    • 坂井, 高正 サカイ, タカマサ

書誌事項

タイトル

容量-電圧特性の非接触測定に基づく半導体表面の評価法とその応用

著者名

坂井, 高正

著者別名

サカイ, タカマサ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5226号

学位授与年月日

1997-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 電気的物理評価の特長と問題点 / p3 (0008.jp2)
  5. 1.3 非接触・非破壊評価法の現状 / p7 (0012.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的と論文の構成 / p8 (0013.jp2)
  7. 参考文献 / p9 (0014.jp2)
  8. 第2章 非接触C-V測定法の原理と測定装置 / p10 (0015.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p10 (0015.jp2)
  10. 2.2 非接触C-V測定法の原理 / p11 (0016.jp2)
  11. 2.3 測定装置 / p31 (0036.jp2)
  12. 参考文献 / p38 (0043.jp2)
  13. 第3章 非接触C-V法と従来法の相関及びその精度 / p39 (0044.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p39 (0044.jp2)
  15. 3.2 非接触C-V法と従来法の相関 / p40 (0045.jp2)
  16. 3.3 非接触C-V法の測定精度と従来C-V法の問題点 / p52 (0057.jp2)
  17. 参考文献 / p54 (0059.jp2)
  18. 第4章 非接触C-V法の特長と利点の検証 / p55 (0060.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p55 (0060.jp2)
  20. 4.2 純水帯電処理した熱酸化シリコンウェハの測定 / p56 (0061.jp2)
  21. 4.3 プラズマ処理した熱酸化シリコンウェハの測定 / p58 (0063.jp2)
  22. 4.4 熱酸化シリコンウェハの窒素アニールによる界面特性の改善 / p60 (0065.jp2)
  23. 参考文献 / p70 (0075.jp2)
  24. 第5章 センサーの改良とパルスドC-V機能の付加 / p71 (0076.jp2)
  25. 5.1 はじめに / p71 (0076.jp2)
  26. 5.2 新センサーの構造 / p72 (0077.jp2)
  27. 5.3 新センサーのガードリング電極の性能評価 / p75 (0080.jp2)
  28. 5.4 新センサーの寄生容量の低減 / p82 (0087.jp2)
  29. 5.5 パルスドC-V測定機能 / p84 (0089.jp2)
  30. 参考文献 / p89 (0094.jp2)
  31. 第6章 シリコン、GaAsベアウェハヘの応用 / p90 (0095.jp2)
  32. 6.1 はじめに / p90 (0095.jp2)
  33. 6.2 シリコンベアウェハの測定 / p91 (0096.jp2)
  34. 6.3 ベアシリコン表面についての結論 / p110 (0115.jp2)
  35. 6.4 GaAsウェハの測定 / p112 (0117.jp2)
  36. 6.5 ベアGaAs表面についての結論 / p132 (0137.jp2)
  37. 参考文献 / p133 (0138.jp2)
  38. 第7章 結論と今後 / p134 (0139.jp2)
  39. 謝辞 / p136 (0141.jp2)
8アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151496
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068441
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315810
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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