Electron tunneling spectroscopic analysis of narrow-gap semiconductor antimony telluride and semimetal antimony ナローギャップ半導体Sb[2]Te[3]ならびに半金属Sbの電子トンネル分光解析

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著者

    • 八田, 英嗣 ハッタ, エイジ

書誌事項

タイトル

Electron tunneling spectroscopic analysis of narrow-gap semiconductor antimony telluride and semimetal antimony

タイトル別名

ナローギャップ半導体Sb[2]Te[3]ならびに半金属Sbの電子トンネル分光解析

著者名

八田, 英嗣

著者別名

ハッタ, エイジ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5228号

学位授与年月日

1997-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. ABSTRACT / (0005.jp2)
  2. Contents / (0009.jp2)
  3. 1 Introduction / p1 (0010.jp2)
  4. 2 Basic Concepts / p3 (0012.jp2)
  5. 2.1 Basic Concepts of Electron Tunneling Spectroscopy / p3 (0012.jp2)
  6. 2.2 Narrow Gap Semiconductor Antimony Telluride and Semimetal Antimony / p20 (0033.jp2)
  7. 3 Experimental Techniques / p25 (0042.jp2)
  8. 3.1 Fabrication of Au-Sb₂Te₃-Al and Al-Al Oxide-Sb Tunnel junctions / p25 (0042.jp2)
  9. 3.2 Junction Evaluation / p28 (0047.jp2)
  10. 3.3 Measurement Cryostat / p30 (0049.jp2)
  11. 3.4 Derivative Measurement Circuit / p30 (0049.jp2)
  12. 4 Results and Discussion / p40 (0066.jp2)
  13. 4.1 Tunneling through Narrow Gap Semiconductor Antimony Telluride:The Effect of Dispersion Relation in Tunneling Barrier / p40 (0066.jp2)
  14. 4.2 Electron Tunneling into Thin Films of Antimony:Anisotropy of Fermi Surfaces and Phonons / p52 (0089.jp2)
  15. 4.3 Disorder Induced Semimetal-Metal Transition:A Tunneling Study / p59 (0102.jp2)
  16. 5 Conclusions / p62 (0111.jp2)
  17. Acknowledgments / p64 (0113.jp2)
  18. Appendix / p65 (0114.jp2)
  19. References / p69 (0118.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151498
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068443
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315812
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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