Silicon surface modification by gas source molecular beam and application to heteroepitaxial growth of cubic silicon carbide ガスソース分子線によるシリコン表面改質と立方晶シリコンカーバイドのヘテロエピタキシャル成長への応用

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著者

    • 畑山, 智亮 ハタヤマ, トモアキ

書誌事項

タイトル

Silicon surface modification by gas source molecular beam and application to heteroepitaxial growth of cubic silicon carbide

タイトル別名

ガスソース分子線によるシリコン表面改質と立方晶シリコンカーバイドのヘテロエピタキシャル成長への応用

著者名

畑山, 智亮

著者別名

ハタヤマ, トモアキ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第7010号

学位授与年月日

1997-09-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Contents / p5 (0007.jp2)
  3. Abstract / p1 (0005.jp2)
  4. Acknowledgments / p3 (0006.jp2)
  5. 1.Introduction / p1 (0009.jp2)
  6. 1.1 Silicon carbide / p2 (0010.jp2)
  7. 1.2 SiC growth by molecular beam epitaxy / p7 (0012.jp2)
  8. 1.3 Outline of this thesis / p8 (0013.jp2)
  9. References / p12 (0015.jp2)
  10. 2.Quantitative Analysis of Molecular Beams / p19 (0018.jp2)
  11. 2.1 Introduction / p19 (0018.jp2)
  12. 2.2 Experimental procedures / p20 (0019.jp2)
  13. 2.3 Threshold ionization QMS analysis / p22 (0020.jp2)
  14. 2.4 Summary / p34 (0026.jp2)
  15. References / p35 (0026.jp2)
  16. 3.Carbonization of Si Surface Using Cracked C₃H₈ / p37 (0027.jp2)
  17. 3.1 Introduction / p37 (0027.jp2)
  18. 3.2 Experimental procedures / p38 (0028.jp2)
  19. 3.3 Carbonization of Si clean surface / p40 (0029.jp2)
  20. 3.4 Carbonization by modified process / p56 (0037.jp2)
  21. 3.5 Summary / p61 (0039.jp2)
  22. References / p62 (0040.jp2)
  23. 4.Epitaxial Growth of 3C-SiC on Carbonized Layers / p65 (0041.jp2)
  24. 4.1 Introduction / p65 (0041.jp2)
  25. 4.2 Experimental procedures / p66 (0042.jp2)
  26. 4.3 Results and discussion / p68 (0043.jp2)
  27. 4.4 Summary / p77 (0047.jp2)
  28. References / p80 (0049.jp2)
  29. 5.Heterointerface Modification by Si-C-Ge Ternary System / p83 (0050.jp2)
  30. 5.1 Introduction / p83 (0050.jp2)
  31. 5.2 Experimental procedures / p84 (0051.jp2)
  32. 5.3 Heterointerface modification by (CH₃)₂GeH₂ / p85 (0051.jp2)
  33. 5.4 3C-SiC growth on Si-C-Ge modified layer / p95 (0056.jp2)
  34. 5.5 Summary / p98 (0058.jp2)
  35. References / p100 (0059.jp2)
  36. 6.Analysis of 3C-SiC/Si Junction Properties and Heteroband Electronic Structure / p103 (0060.jp2)
  37. 6.1 Introduction / p103 (0060.jp2)
  38. 6.2 Experimental procedures / p104 (0061.jp2)
  39. 6.3 Results and discussion / p105 (0061.jp2)
  40. 6.4 Summary / p112 (0065.jp2)
  41. References / p113 (0065.jp2)
  42. 7.Conclusion / p115 (0066.jp2)
  43. 7.1 Conclusion / p115 (0066.jp2)
  44. 7.2 For the future work / p118 (0068.jp2)
  45. List of Publications / p121 (0069.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151562
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068507
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315876
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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