シリコン系膜 (シリコン単結晶、シリコン多結晶、β型シリコンカーバイド) の化学気相成長に関する研究

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著者

    • 三重野, 文健 ミエノ, フミタケ

書誌事項

タイトル

シリコン系膜 (シリコン単結晶、シリコン多結晶、β型シリコンカーバイド) の化学気相成長に関する研究

著者名

三重野, 文健

著者別名

ミエノ, フミタケ

学位授与大学

東京理科大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第507号

学位授与年月日

1996-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究を行う背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p13 (0011.jp2)
  5. 1.3 従来の研究 / p15 (0012.jp2)
  6. 1.4 本論文の概要 / p18 (0014.jp2)
  7. 第2章 ジシランを用いたシリコンエピタキシーの低温化 / p21 (0015.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p21 (0015.jp2)
  9. 2.2 実験装置及び実験方法 / p22 (0016.jp2)
  10. 2.3 結果及び考察 / p27 (0018.jp2)
  11. 2.4 結言 / p47 (0028.jp2)
  12. 第3章 エピタキシャルシリコン・ポリシリコン同時成長 / p48 (0029.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p48 (0029.jp2)
  14. 3.2 実験装置及び実験方法 / p48 (0029.jp2)
  15. 3.3 結果及び考察 / p49 (0029.jp2)
  16. 3.4 結言 / p67 (0038.jp2)
  17. 第4章 ジシランによるアモルファスシリコン堆積とその性質 / p68 (0039.jp2)
  18. 4.1 緒言 / p68 (0039.jp2)
  19. 4.2 実験装置及び実験方法 / p68 (0039.jp2)
  20. 4.3 結果及び考察 / p69 (0039.jp2)
  21. 4.4 結言 / p85 (0047.jp2)
  22. 第5章 ポリシリコン選択成長 / p86 (0048.jp2)
  23. 5.1 緒言 / p86 (0048.jp2)
  24. 5.2 実験装置及び実験方法 / p86 (0048.jp2)
  25. 5.3 結果及び考察 / p88 (0049.jp2)
  26. 5.4 結言 / p100 (0055.jp2)
  27. 第6章 シリコン基板上への低温β-SiCヘテロエピタキシー / p101 (0055.jp2)
  28. 6.1 緒言 / p101 (0055.jp2)
  29. 6.2 実験装置及び実験方法 / p101 (0055.jp2)
  30. 6.3 結果及び考察 / p102 (0056.jp2)
  31. 6.4 結言 / p111 (0060.jp2)
  32. 第7章 総括 / p112 (0061.jp2)
  33. 謝辞 / p116 (0063.jp2)
  34. 参考文献 / p117 (0063.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151746
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068689
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316060
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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