熱CVD成膜過程のモデル解析

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著者

    • 秋山, 泰伸 アキヤマ, ヤスノブ

書誌事項

タイトル

熱CVD成膜過程のモデル解析

著者名

秋山, 泰伸

著者別名

アキヤマ, ヤスノブ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6532号

学位授与年月日

1997-09-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 CVDの反応解析に対する既往の研究 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p8 (0009.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p10 (0010.jp2)
  6. 第2章 CVDのモデル化とシミュレーション / p12 (0011.jp2)
  7. 2.1 研究の概要 / p12 (0011.jp2)
  8. 2.2 反応のモデル化 / p12 (0011.jp2)
  9. 2.3 ミクロトレンチ法による表面反応解析 / p14 (0012.jp2)
  10. 2.4 反応管内成膜速度分布のシミュレーション / p34 (0022.jp2)
  11. 2.5 まとめ / p37 (0023.jp2)
  12. 第3章 ジルコニア(Zr0₂)およびイットリア(Y₂O₃)薄膜のLPMOCVD成膜実験とモデル解析 / p38 (0024.jp2)
  13. 3.1 研究の背景 / p38 (0024.jp2)
  14. 3.2 成膜実験 / p39 (0024.jp2)
  15. 3.3 表面反応速度の検討 / p43 (0026.jp2)
  16. 3.4 気相反応速度の検討 / p50 (0030.jp2)
  17. 3.5 成膜前駆体の推定 / p56 (0033.jp2)
  18. 3.6 まとめ / p57 (0033.jp2)
  19. 第4章 イットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜のLPMOCVD成膜実験とモデル解析 / p59 (0034.jp2)
  20. 4.1 研究の背景 / p59 (0034.jp2)
  21. 4.2 成膜実験 / p60 (0035.jp2)
  22. 4.3 反応のモデル化 / p60 (0035.jp2)
  23. 4.4 YSZの反応管内の成膜速度および組成分布 / p61 (0035.jp2)
  24. 4.5 YSZのミクロトレンチ上の成膜形状および組成分布 / p64 (0037.jp2)
  25. 4.6 まとめ / p73 (0041.jp2)
  26. 第5章 非線型表面反応速度式を示す系でのカバレッジのシミュレーション / p75 (0042.jp2)
  27. 5.1 研究の背景 / p75 (0042.jp2)
  28. 5.2 非線型表面反応に対するシンプルモンテカルロシミュレーション / p75 (0042.jp2)
  29. 5.3 まとめ / p93 (0051.jp2)
  30. 第6章 ミクロトレンチ及びホールの成膜形状制御 / p94 (0052.jp2)
  31. 6.1 研究の背景 / p94 (0052.jp2)
  32. 6.2 表面反応速度及び圧力の操作による成膜形状の制御 / p94 (0052.jp2)
  33. 6.3 流通型CVDによるカバレッジの制御 / p97 (0053.jp2)
  34. 6.4 まとめ / p109 (0059.jp2)
  35. 第7章 総括 / p110 (0060.jp2)
  36. 付録 1.クヌッセン数とステップカバレッジについて / p113 (0061.jp2)
  37. 2.ダイレクトモンテカルロシミュレーション法とシンプルモンテカルロ法の結果の比較 / p119 (0064.jp2)
  38. 使用記号 / p123 (0066.jp2)
  39. 参考文献 / p127 (0068.jp2)
  40. 謝辞 / p130 (0070.jp2)
7アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151847
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068783
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000316161
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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