低温CVD炭素質薄膜の作製と物性ならびにその電子デバイスへの応用に関する研究

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著者

    • 于, 洪桉 ウ, コアン

書誌事項

タイトル

低温CVD炭素質薄膜の作製と物性ならびにその電子デバイスへの応用に関する研究

著者名

于, 洪桉

著者別名

ウ, コアン

学位授与大学

群馬大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

工博乙第24号

学位授与年月日

1997-11-17

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0002.jp2)
  2. 第一章 緒論 / p1 (0009.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0009.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p8 (0016.jp2)
  5. 1.3 本研究の経緯 / p9 (0017.jp2)
  6. 1.4 本論文の概要 / p11 (0019.jp2)
  7. [参考文献] / p13 (0021.jp2)
  8. 第二章 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜の調製と構造 / p19 (0027.jp2)
  9. 2.1 緒言 / p19 (0027.jp2)
  10. 2.2 実験方法 / p20 (0028.jp2)
  11. 2.3 実験結果 / p23 (0031.jp2)
  12. 2.4 考察 / p38 (0046.jp2)
  13. 2.5 結論 / p43 (0051.jp2)
  14. [参考文献] / p44 (0052.jp2)
  15. 第三章 2,5-ジメチル-p-ベンゾキノンを原料としたCVD炭素質薄膜の電子物性 / p45 (0053.jp2)
  16. 3.1 緒言 / p45 (0053.jp2)
  17. 3.2 実験方法 / p46 (0054.jp2)
  18. 3.3 実験結果 / p47 (0055.jp2)
  19. 3.4 考察 / p65 (0073.jp2)
  20. 3.5 結論 / p70 (0078.jp2)
  21. [参考文献] / p72 (0080.jp2)
  22. 第四章 炭素質薄膜を用いた炭素/シリコン(C/Si)デバイス / p73 (0081.jp2)
  23. 4.1 緒言 / p73 (0081.jp2)
  24. 4.2 実験方法 / p74 (0082.jp2)
  25. 4.3 実験結果および解析 / p77 (0085.jp2)
  26. 4.4 考察 / p94 (0102.jp2)
  27. 4.5 結論 / p98 (0106.jp2)
  28. [参考文献] / p99 (0107.jp2)
  29. 第五章 炭素質薄膜を用いた炭素/n型シリコン(C/n-Si)太陽電池 / p101 (0109.jp2)
  30. 5.1 緒言 / p101 (0109.jp2)
  31. 5.2 実験方法 / p102 (0110.jp2)
  32. 5.3 実験結果 / p106 (0114.jp2)
  33. 5.4 考察 / p121 (0129.jp2)
  34. 5.5 結論 / p129 (0137.jp2)
  35. [参考文献] / p130 (0138.jp2)
  36. 第六章 総括 / p131 (0139.jp2)
  37. 6.1 各章のまとめ / p131 (0139.jp2)
  38. 6.2 本論文の結論 / p135 (0143.jp2)
  39. 研究業績リスト / p137 (0145.jp2)
  40. 謝辞 / p141 (0149.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000152098
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001069013
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316412
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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