NbN/MgO/NbN2重トンネル接合を用いたNbN薄膜の導電性

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著者

    • 蘇, 恵明 ソ, ケイメイ

書誌事項

タイトル

NbN/MgO/NbN2重トンネル接合を用いたNbN薄膜の導電性

著者名

蘇, 恵明

著者別名

ソ, ケイメイ

学位授与大学

横浜国立大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第276号

学位授与年月日

1997-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 研究の背景と目的 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 本論文の概要 / p3 (0005.jp2)
  5. 第二章 微小トンネル素子の量子効果 / p4 (0006.jp2)
  6. 2-1 トンネル接合の基礎理論 / p5 (0006.jp2)
  7. 2-2 ジョセフソン効果 / p8 (0008.jp2)
  8. 2-3 クーロン・ブロッケイト / p11 (0009.jp2)
  9. 2-4 常伝導微小トンネル接合 / p14 (0011.jp2)
  10. 2-5 超伝導微小トンネル効果 / p16 (0012.jp2)
  11. 2-6 ブロッホ振動 / p18 (0013.jp2)
  12. 2-7 微小ジョセフソン素子における構造のパラメータ条件 / p20 (0014.jp2)
  13. 2-8 PQT素子 / p22 (0015.jp2)
  14. 第三章 ジョセフソン接合の高品質化 / p24 (0016.jp2)
  15. 3-1 実験材料の選択 / p26 (0017.jp2)
  16. 3-2 接合作製プロセスと作製条件 / p28 (0018.jp2)
  17. 3-3 ジョセフソン素子の評価 / p35 (0021.jp2)
  18. 3-4 スパッタパワーの最適化によるリーク電流の低減 / p37 (0022.jp2)
  19. 3-5 スパッタ距離の最適化によるNbN膜の臨界温度の向上 / p43 (0025.jp2)
  20. 3-6 結論 / p48 (0028.jp2)
  21. 第四章 SISIS接合 / p49 (0028.jp2)
  22. 4-1 NbN薄膜の平坦性の研究 / p50 (0029.jp2)
  23. 4-2 NbN薄膜の特性の研究 / p54 (0031.jp2)
  24. 4-3 2重ジョセフソン接合 / p59 (0033.jp2)
  25. 4-4 2重ジョセフソン接合の作製 / p60 (0034.jp2)
  26. 4-5 結論と検討 / p66 (0037.jp2)
  27. 第五章 微小トンネル接合における単電子トンネル効果 / p67 (0037.jp2)
  28. 5-1 グレインによる微小トンネル接合の作製 / p68 (0038.jp2)
  29. 5-2 2次元的単電子トンネルの実効的接合容量の計算 / p69 (0038.jp2)
  30. 5-3 2次元的単電子トンネルの実効的オフセット電圧の計算 / p72 (0040.jp2)
  31. 5-4 SET現象の観測 / p74 (0041.jp2)
  32. 5-5 オフセット電圧と中間層NbN膜厚の関係 / p76 (0042.jp2)
  33. 5-6 NbN超薄膜のエネルギーギャップの計算 / p77 (0042.jp2)
  34. 5-7 結論 / p80 (0044.jp2)
  35. 第六章 まとめ / p81 (0044.jp2)
  36. 参考文献 / p82 (0045.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000152144
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001069055
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316458
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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