低速イオン散乱分光を用いた実時間観察によるⅢ-Ⅴ族半導体ヘテロ界面形成過程に関する研究

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著者

    • 斉藤, 徹 サイトウ, トオル

書誌事項

タイトル

低速イオン散乱分光を用いた実時間観察によるⅢ-Ⅴ族半導体ヘテロ界面形成過程に関する研究

著者名

斉藤, 徹

著者別名

サイトウ, トオル

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第9723号

学位授与年月日

1997-11-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的と意義 / p8 (0010.jp2)
  6. 1-3 本論文の構成 / p8 (0010.jp2)
  7. 参考文献 / p11 (0011.jp2)
  8. 第2章 低速イオン散乱分光/分子線エピタキシャル成長複合装置 / p13 (0012.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p13 (0012.jp2)
  10. 2-2 低速イオン散乱分光の原理 / p14 (0013.jp2)
  11. 2-3 低速イオン散乱分光/分子線エピタキシャル成長複合装置 / p20 (0016.jp2)
  12. 2-4 まとめ / p27 (0019.jp2)
  13. 参考文献 / p28 (0020.jp2)
  14. 第3章 III-V族半導体ヘテロ界面形成過程の低速イオン散乱分光による実時間観察 / p29 (0020.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p29 (0020.jp2)
  16. 3-2 実験手順および条件 / p29 (0020.jp2)
  17. 3-3 ヘテロ界面形成過程の実時間観察のためのイオンビーム入射方位および入射角度の検討 / p30 (0021.jp2)
  18. 3-4 GaAsおよびAlAs表面からのイオン散乱強度の飛行時間スペクトル / p34 (0023.jp2)
  19. 3-5 低速イオン散乱分光における検出深さの検討 / p36 (0024.jp2)
  20. 3-6 GaAs/AlAsおよびAlAs/GaAsヘテロ界面形成過程の実時間観察 / p39 (0025.jp2)
  21. 3-7 考察 / p42 (0027.jp2)
  22. 3-9 まとめ / p44 (0028.jp2)
  23. 参考文献 / p46 (0029.jp2)
  24. 第4章 III-V族半導体ヘテロ界面形成過程におけるIII族原子挙動に及ぼすV族原子の影響 / p47 (0029.jp2)
  25. 4-1 はじめに / p47 (0029.jp2)
  26. 4-2 実験手順および条件 / p48 (0030.jp2)
  27. 4-3 交互供給および同時供給によるGaAs/AlAs界面形成過程の比較 / p49 (0030.jp2)
  28. 4-4 交互供給および同時供給によるAlAs/GaAs界面形成過程の比較 / p53 (0032.jp2)
  29. 4-5 まとめ / p68 (0040.jp2)
  30. 参考文献 / p69 (0040.jp2)
  31. 第5章 III-V族半導体ヘテロ界面形成過程における原子挙動に及ぼす格子不整合の影響 / p70 (0041.jp2)
  32. 5-1 はじめに / p70 (0041.jp2)
  33. 5-2 実験手順および条件 / p71 (0041.jp2)
  34. 5-3 InAs表面からのイオン散乱強度の飛行時間スペクトル / p72 (0042.jp2)
  35. 5-4 GaAs/InAs界面形成過程におけるイオン散乱強度変化 / p73 (0042.jp2)
  36. 5-5 GaAs/InP界面形成過程におけるイオン散乱強度変化 / p76 (0044.jp2)
  37. 5-6 AlAs/InAs界面形成過程におけるイオン散乱強度変化 / p79 (0045.jp2)
  38. 5-7 考察 / p80 (0046.jp2)
  39. 5-8 まとめ / p83 (0047.jp2)
  40. 参考文献 / p84 (0048.jp2)
  41. 第6章 III-V族半導体ヘテロ界面におけるIII族原子の置換 / p85 (0048.jp2)
  42. 6-1 はじめに / p85 (0048.jp2)
  43. 6-2 実験手順および条件 / p86 (0049.jp2)
  44. 6-3 GaAs/InAs界面におけるGa/In原子置換に伴うイオン散乱強度変化 / p87 (0049.jp2)
  45. 6-4 考察 / p91 (0051.jp2)
  46. 6-5 まとめ / p95 (0053.jp2)
  47. 参考文献 / p96 (0054.jp2)
  48. 第7章 結論 / p97 (0054.jp2)
  49. 謝辞 / p100 (0056.jp2)
  50. 本研究に関連した発表論文 / p101 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000152456
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001086645
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316770
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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