高速光通信用シリコン系光電子集積回路のデバイス技術に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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高速光通信用シリコン系光電子集積回路のデバイス技術に関する研究
- 著者名
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田代, 勉
- 著者別名
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タシロ, ツトム
- 学位授与大学
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静岡大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第79号
- 学位授与年月日
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1997-09-26
注記・抄録
博士論文
doctoral
電子科学研究科
乙第79号
目次
- 目次/p4 (5コマ目)
- 第1章 序論/p1 (7コマ目)
- 1.1 研究の背景と意義/p1 (7コマ目)
- 1.2 集積回路(IC)高速化のためのトランジスタ設計/p5 (9コマ目)
- 1.3 バイポーラトランジスタの高性能化/p9 (11コマ目)
- 1.4 光電子集積回路(OEIC²⁾)と受光素子技術/p15 (14コマ目)
- 1.5 本論文の目的と構成/p21 (17コマ目)
- 第2章 高速シリコン自己整合トランジスタ技術:A-BSA³⁾トランジスタ技術/p23 (18コマ目)
- 2.1 BSAプロセス技術の特徴/p23 (18コマ目)
- 2.2 A-BSAトランジスタの設計とプロセス技術/p26 (20コマ目)
- 2.2 A-BSAトランジスタの電気特性と回路特性/p40 (27コマ目)
- 2.3 まとめ/p44 (29コマ目)
- 第3章 超高速シリコン･ゲルマニウム自己整合トランジスタ技術:SSSB⁵⁾とA-SSSB⁶⁾トランジスタ技術/p47 (30コマ目)
- 3.1 SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT⁷⁾)技術/p47 (30コマ目)
- 3.2 SiGe選択エピタキシャル成長技術/p50 (32コマ目)
- 3.3 SSSBトランジスタの設計とプロセス技術/p58 (36コマ目)
- 3.4 SSSBトランジスタの電気特性と基本回路特性/p69 (41コマ目)
- 3.5 A-SSSBトランジスタの設計とプロセス技術/p73 (43コマ目)
- 3.6 A-SSSBトランジスタの電気特性/p83 (48コマ目)
- 3.7 まとめ/p88 (51コマ目)
- 第4章 シリコン･ゲルマニウム超格子導波路型受光素子技術/p91 (52コマ目)
- 4.1 導波路型(Waveguide type)SiGe受光素子の設計とプロセス技術/p91 (52コマ目)
- 4.2 導波路型SiGe受光素子の諸特性/p100 (57コマ目)
- 4.3 まとめ/p107 (60コマ目)
- 第5章 シリコン･ゲルマニウム積層厚膜表面入射型受光素子技術/p109 (61コマ目)
- 5.1 表面入射型SiGe受光素子の設計とプロセス技術/p109 (61コマ目)
- 5.2 表面入射型SiGe受光素子の諸特性/p115 (64コマ目)
- 5.3 まとめ/p121 (67コマ目)
- 第6章 結論/p123 (68コマ目)
- 6.1 本論文の成果のまとめ/p123 (68コマ目)
- 6.2 残る課題と展望/p126 (70コマ目)
- 参考文献/p129 (71コマ目)
- 謝辞/p139 (76コマ目)
- 本論文に関するの発表論文一覧/p140 (77コマ目)