Al[2]O[3]/Si構造形成における成長材料の励起及び界面制御に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
Al[2]O[3]/Si構造形成における成長材料の励起及び界面制御に関する研究
- Author
-
葉山, 清輝
- Author(Another name)
-
ハヤマ, キヨテル
- University
-
豊橋技術科学大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第102号
- Degree year
-
1997-12-17
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文要旨 / (0003.jp2)
- 目次 / (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1-1 SOI構造の特徴と形成技術 / p1 (0007.jp2)
- 1-2 エピタキシャルAl₂O₃薄膜を用いたSOI構造の形成 / p6 (0010.jp2)
- 1-3 絶縁膜･半導体ヘテロ構造のその他の応用 / p12 (0013.jp2)
- 1-4 本研究の目的と概要 / p14 (0014.jp2)
- 参考文献 / p16 (0015.jp2)
- 第2章 有機金属分子線エピタキシー及び評価技術 / p18 (0016.jp2)
- 2-1 有機金属分子線エピタキシー / p18 (0016.jp2)
- 2-2 成長薄膜の評価技術 / p21 (0017.jp2)
- 参考文献 / p29 (0021.jp2)
- 第3章 酸素ラジカル分子線を用いたSi表面の酸化過程 / p30 (0022.jp2)
- 3-1 緒言 / p30 (0022.jp2)
- 3-2 Si表面の酸化に関するこれまでの研修 / p31 (0022.jp2)
- 3-3 酸素ラジカルとSi表面の反応実験 / p35 (0024.jp2)
- 3-4 緒言 / p47 (0030.jp2)
- 参考文献 / p49 (0031.jp2)
- 第4章 酸素ラジカルとTMAによるAl₂O₃/Si構造の成長 / p50 (0032.jp2)
- 4-1 緒言 / p50 (0032.jp2)
- 4-2 酸素ラジカルを用いた成長実験 / p51 (0032.jp2)
- 4-3 酸素ラジカルを用いた成長結果及び考察 / p53 (0033.jp2)
- 4-4 酸素ラジカルを用いた場合の成長モデル / p60 (0037.jp2)
- 4-5 光励起による成長と酸素ラジカルを用いた成長との比較 / p62 (0038.jp2)
- 4-6 結言 / p67 (0040.jp2)
- 参考文献 / p68 (0041.jp2)
- 第5章 成長初期における界面制御の効果 / p69 (0041.jp2)
- 5-1 緒言 / p69 (0041.jp2)
- 5-2 通常のMOMBE法における成長手順と膜質の関係 / p69 (0041.jp2)
- 5-3 酸素励起MOMBE法における界面制御の効果 / p70 (0042.jp2)
- 5-4 Al₂O₃膜及びSi基板表面における酸素ラジカルの効果 / p79 (0046.jp2)
- 5-5 結言 / p86 (0050.jp2)
- 参考文献 / p87 (0050.jp2)
- 第6章 ジメチルエチルアミンアランによるAl/Siの成長 / p88 (0051.jp2)
- 6-1 緒言 / p88 (0051.jp2)
- 6-2 ジメチルエチルアミンアラン / p89 (0051.jp2)
- 6-3 DMEAAによるAl/Siの成長方法 / p92 (0053.jp2)
- 6-4 Al膜の成長結果と考察 / p92 (0053.jp2)
- 6-5 結言 / p103 (0058.jp2)
- 参考文献 / p105 (0059.jp2)
- 第7章 ジメチルエチルアミンアランによるAl₂O₃/Siの成長 / p106 (0060.jp2)
- 7-1 緒言 / p106 (0060.jp2)
- 7-2 成長方法及び条件 / p106 (0060.jp2)
- 7-3 DMEAAを用いて成長したAl₂O₃膜の評価 / p107 (0060.jp2)
- 7-4 成長温度とAl源､酸化源との関係 / p116 (0065.jp2)
- 7-5 結言 / p117 (0065.jp2)
- 参考文献 / p119 (0066.jp2)
- 第8章 反応性スパッタリング法によるAl₂O₃/Siの成長 / p120 (0067.jp2)
- 8-1 諸言 / p120 (0067.jp2)
- 8-2 成長装置及び成長方法 / p120 (0067.jp2)
- 8-3 反応性スパッタリングにより成長したAl₂O₃膜の評価 / p122 (0068.jp2)
- 8-4 反応性スパッタリングによるAl₂O₃膜の成長モデル / p126 (0070.jp2)
- 8-5 結言 / p127 (0070.jp2)
- 参考文献 / p128 (0071.jp2)
- 第9章 総括 / p129 (0071.jp2)
- 謝辞 / p133 (0073.jp2)
- 研究業績一覧 / p134 (0074.jp2)