低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO[2]積層構造の作製と応用

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著者

    • 谷, 由加里 タニ, ユカリ

書誌事項

タイトル

低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO[2]積層構造の作製と応用

著者名

谷, 由加里

著者別名

タニ, ユカリ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5255号

学位授与年月日

1997-07-07

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 1.序論 / p1 (0004.jp2)
  2. 1.1 研究のねらい / p1 (0004.jp2)
  3. 1.2 研究の背景 / p2 (0005.jp2)
  4. 1.3 研究内容 / p6 (0007.jp2)
  5. 2.実験方法 / p9 (0008.jp2)
  6. 2.1 実験装置 / p9 (0008.jp2)
  7. 2.2 試料作製方法 / p11 (0009.jp2)
  8. 2.3 試料評価方法 / p12 (0010.jp2)
  9. 3.低エネルギーSIMOX法による薄膜SOI構造の作製 / p15 (0011.jp2)
  10. 3.1 注入量の検討 / p15 (0011.jp2)
  11. 3.2 加速電圧の検討 / p23 (0015.jp2)
  12. 3.3 まとめ / p25 (0016.jp2)
  13. 4.薄膜SOI構造の結晶性の評価 / p27 (0017.jp2)
  14. 4.1 アニールによるSOI構造の変化 / p27 (0017.jp2)
  15. 4.2 注入直後の構造、酸素分布と注入条件の関係 / p37 (0022.jp2)
  16. 4.3 貫通転位密度の注入量依存性 / p51 (0029.jp2)
  17. 4.4 考察 / p53 (0030.jp2)
  18. 4.5 まとめ / p60 (0034.jp2)
  19. 5.LOI-MBE(low energy oxygen implantation during Si-MBE)法を用いた単結晶Si/SiO₂積層構造の制御 / p63 (0035.jp2)
  20. 5.1 SOI構造の表面Si層厚と埋め込み酸化層厚の任意制御 / p63 (0035.jp2)
  21. 5.2 単結晶Si/SiO₂多層構造の作製 / p74 (0041.jp2)
  22. 5.3 まとめ / p79 (0043.jp2)
  23. 6.Si/SiO₂積層構造の新しい応用 / p81 (0044.jp2)
  24. 6.1 エピタキシャル成長可能なSi/SiO₂ブラッグ反射鏡の作製 / p81 (0044.jp2)
  25. 6.2 SiO₂中に結晶方位のそろったSiナノ粒子の作製 / p88 (0048.jp2)
  26. 6.3 まとめ / p95 (0051.jp2)
  27. 7.結論 / p98 (0053.jp2)
  28. 謝辞 / p101 (0054.jp2)
  29. 主論文 / p102 (0055.jp2)
  30. その他の論文 / p104 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153165
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087224
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317479
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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