低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO[2]積層構造の作製と応用
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Bibliographic Information
- Title
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低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO[2]積層構造の作製と応用
- Author
-
谷, 由加里
- Author(Another name)
-
タニ, ユカリ
- University
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名古屋大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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乙第5255号
- Degree year
-
1997-07-07
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 1.序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 研究のねらい / p1 (0004.jp2)
- 1.2 研究の背景 / p2 (0005.jp2)
- 1.3 研究内容 / p6 (0007.jp2)
- 2.実験方法 / p9 (0008.jp2)
- 2.1 実験装置 / p9 (0008.jp2)
- 2.2 試料作製方法 / p11 (0009.jp2)
- 2.3 試料評価方法 / p12 (0010.jp2)
- 3.低エネルギーSIMOX法による薄膜SOI構造の作製 / p15 (0011.jp2)
- 3.1 注入量の検討 / p15 (0011.jp2)
- 3.2 加速電圧の検討 / p23 (0015.jp2)
- 3.3 まとめ / p25 (0016.jp2)
- 4.薄膜SOI構造の結晶性の評価 / p27 (0017.jp2)
- 4.1 アニールによるSOI構造の変化 / p27 (0017.jp2)
- 4.2 注入直後の構造､酸素分布と注入条件の関係 / p37 (0022.jp2)
- 4.3 貫通転位密度の注入量依存性 / p51 (0029.jp2)
- 4.4 考察 / p53 (0030.jp2)
- 4.5 まとめ / p60 (0034.jp2)
- 5.LOI-MBE(low energy oxygen implantation during Si-MBE)法を用いた単結晶Si/SiO₂積層構造の制御 / p63 (0035.jp2)
- 5.1 SOI構造の表面Si層厚と埋め込み酸化層厚の任意制御 / p63 (0035.jp2)
- 5.2 単結晶Si/SiO₂多層構造の作製 / p74 (0041.jp2)
- 5.3 まとめ / p79 (0043.jp2)
- 6.Si/SiO₂積層構造の新しい応用 / p81 (0044.jp2)
- 6.1 エピタキシャル成長可能なSi/SiO₂ブラッグ反射鏡の作製 / p81 (0044.jp2)
- 6.2 SiO₂中に結晶方位のそろったSiナノ粒子の作製 / p88 (0048.jp2)
- 6.3 まとめ / p95 (0051.jp2)
- 7.結論 / p98 (0053.jp2)
- 謝辞 / p101 (0054.jp2)
- 主論文 / p102 (0055.jp2)
- その他の論文 / p104 (0056.jp2)