ガラスとセラミックスとの界面反応解析及びその半導体実装用AIN回路基板への応用

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著者

    • 黒光, 祥郎 クロミツ, ヨシロウ

書誌事項

タイトル

ガラスとセラミックスとの界面反応解析及びその半導体実装用AIN回路基板への応用

著者名

黒光, 祥郎

著者別名

クロミツ, ヨシロウ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6559号

学位授与年月日

1997-11-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 従来の研究 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と論文構成 / p2 (0008.jp2)
  5. 第2章 厚膜導体材料とAIN基板との接合性 / p5 (0011.jp2)
  6. 2.1 目的 / p5 (0011.jp2)
  7. 2.2 実験 / p5 (0011.jp2)
  8. 2.3 実験結果及び考察 / p9 (0015.jp2)
  9. 2.4 結論 / p10 (0016.jp2)
  10. 第3章 ガラスとアルミナ及びAlNとの界面反応 / p11 (0017.jp2)
  11. 3.1 緒論 / p11 (0017.jp2)
  12. 3.2 実験 / p13 (0019.jp2)
  13. 3.3 実験結果 / p16 (0022.jp2)
  14. 3.4 考察 / p20 (0026.jp2)
  15. 3.5 結論 / p27 (0033.jp2)
  16. 第4章 ガラスとBaTiO₃との界面反応 / p28 (0034.jp2)
  17. 4.1 緒論 / p28 (0034.jp2)
  18. 4.2 実験 / p30 (0036.jp2)
  19. 4.3 実験結果と考察 / p32 (0038.jp2)
  20. 4.4 結論 / p61 (0067.jp2)
  21. 第5章 ガラスとセラミックスとの界面反応形態の分類と総括 / p64 (0070.jp2)
  22. 第6章 AlN基板の表面処理方法の提案及びAlNの表面酸化挙動 / p68 (0074.jp2)
  23. 6.1 緒論 / p68 (0074.jp2)
  24. 6.2 AlN基板の表面処理方法の提案 / p69 (0075.jp2)
  25. 6.3 AlNの表面酸化挙動 / p71 (0077.jp2)
  26. 6.4 結論 / p80 (0086.jp2)
  27. 第7章 AlN基板の表面処理層の有効性 / p81 (0087.jp2)
  28. 7.1 目的 / p81 (0087.jp2)
  29. 7.2 実験 / p81 (0087.jp2)
  30. 7.3 実験結果及び考察 / p83 (0089.jp2)
  31. 7.4 結論 / p96 (0102.jp2)
  32. 第8章 結論 / p98 (0104.jp2)
  33. Appendix / p102 (0108.jp2)
  34. A.1 厚膜回路基板を用いたハイブリッドICの試作 / p102 (0108.jp2)
  35. A.2 グレーズドAlN基板の試作 / p107 (0113.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153305
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087363
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317619
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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