ガラスとセラミックスとの界面反応解析及びその半導体実装用AIN回路基板への応用
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著者
書誌事項
- タイトル
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ガラスとセラミックスとの界面反応解析及びその半導体実装用AIN回路基板への応用
- 著者名
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黒光, 祥郎
- 著者別名
-
クロミツ, ヨシロウ
- 学位授与大学
-
九州大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第6559号
- 学位授与年月日
-
1997-11-20
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 従来の研究 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の目的と論文構成 / p2 (0008.jp2)
- 第2章 厚膜導体材料とAIN基板との接合性 / p5 (0011.jp2)
- 2.1 目的 / p5 (0011.jp2)
- 2.2 実験 / p5 (0011.jp2)
- 2.3 実験結果及び考察 / p9 (0015.jp2)
- 2.4 結論 / p10 (0016.jp2)
- 第3章 ガラスとアルミナ及びAlNとの界面反応 / p11 (0017.jp2)
- 3.1 緒論 / p11 (0017.jp2)
- 3.2 実験 / p13 (0019.jp2)
- 3.3 実験結果 / p16 (0022.jp2)
- 3.4 考察 / p20 (0026.jp2)
- 3.5 結論 / p27 (0033.jp2)
- 第4章 ガラスとBaTiO₃との界面反応 / p28 (0034.jp2)
- 4.1 緒論 / p28 (0034.jp2)
- 4.2 実験 / p30 (0036.jp2)
- 4.3 実験結果と考察 / p32 (0038.jp2)
- 4.4 結論 / p61 (0067.jp2)
- 第5章 ガラスとセラミックスとの界面反応形態の分類と総括 / p64 (0070.jp2)
- 第6章 AlN基板の表面処理方法の提案及びAlNの表面酸化挙動 / p68 (0074.jp2)
- 6.1 緒論 / p68 (0074.jp2)
- 6.2 AlN基板の表面処理方法の提案 / p69 (0075.jp2)
- 6.3 AlNの表面酸化挙動 / p71 (0077.jp2)
- 6.4 結論 / p80 (0086.jp2)
- 第7章 AlN基板の表面処理層の有効性 / p81 (0087.jp2)
- 7.1 目的 / p81 (0087.jp2)
- 7.2 実験 / p81 (0087.jp2)
- 7.3 実験結果及び考察 / p83 (0089.jp2)
- 7.4 結論 / p96 (0102.jp2)
- 第8章 結論 / p98 (0104.jp2)
- Appendix / p102 (0108.jp2)
- A.1 厚膜回路基板を用いたハイブリッドICの試作 / p102 (0108.jp2)
- A.2 グレーズドAlN基板の試作 / p107 (0113.jp2)