電着法によるc軸配向性InSe薄膜の作製に関する研究

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著者

    • 藤原, 武 フジワラ, タケシ

書誌事項

タイトル

電着法によるc軸配向性InSe薄膜の作製に関する研究

著者名

藤原, 武

著者別名

フジワラ, タケシ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第164号

学位授与年月日

1997-12-22

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

甲第164号

目次

  1. 論文要旨 / (0003.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
  5. 1.2 本論文の目的と構成 / p6 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p8 (0009.jp2)
  7. 第2章 実験 / p9 (0009.jp2)
  8. 2. 1 薄膜の作製 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.2 膜の評価方法 / p17 (0013.jp2)
  10. 参考文献 / p20 (0015.jp2)
  11. 第3章 熱処理による結晶構造の変化 / p21 (0015.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p21 (0015.jp2)
  13. 3.2 熱処理雰囲気の影響 / p21 (0015.jp2)
  14. 3.3 熱処理前の膜組成の影響 / p28 (0019.jp2)
  15. 3.4 熱処理温度の影響 / p30 (0020.jp2)
  16. 3.5 結論 / p38 (0024.jp2)
  17. 参考文献 / p39 (0024.jp2)
  18. 第4章 膜組成の制御 / p40 (0025.jp2)
  19. 4.1 緒言 / p40 (0025.jp2)
  20. 4.2 サイクリックボルタンメトリー測定 / p40 (0025.jp2)
  21. 4.3 定電流法における電着条件と電着膜の組成 / p45 (0027.jp2)
  22. 4.4 定電位法における電着条件と電着膜の組成 / p56 (0033.jp2)
  23. 4.5 定電流パルス法における電着条件と電着膜の組成 / p60 (0035.jp2)
  24. 4.6 結論 / p69 (0039.jp2)
  25. 参考文献 / p70 (0040.jp2)
  26. 第5章 表面形態の改善 / p71 (0040.jp2)
  27. 5.1 緒言 / p71 (0040.jp2)
  28. 5.2 定電流法における電着条件と電着膜の表面形態 / p71 (0040.jp2)
  29. 5.3 定電位法における電着条件と電着膜の表面形態 / p78 (0044.jp2)
  30. 5.4 定電流パルス法における電着条件と電着膜の表面形態 / p82 (0046.jp2)
  31. 5.5 結論 / p95 (0052.jp2)
  32. 参考文献 / p96 (0053.jp2)
  33. 第6章 電着初期過程の観察 / p97 (0053.jp2)
  34. 6.1 緒言 / p97 (0053.jp2)
  35. 6.2 チタン電極表面におけるセレンパシベーション膜の成長過程の観察 / p97 (0053.jp2)
  36. 6.3 チタン電極上へのIn - Seの析出過程の観察 / p100 (0055.jp2)
  37. 6.4 電着液中での膜の溶出 / p109 (0059.jp2)
  38. 6.5 パルスの繰り返し回数の影響 / p114 (0062.jp2)
  39. 6.6 定電流パルス法への応用 / p117 (0063.jp2)
  40. 6.7 結論 / p128 (0069.jp2)
  41. 参考文献 / p129 (0069.jp2)
  42. 第7章 結言 / p130 (0070.jp2)
  43. 謝辞 / p132 (0071.jp2)
  44. 研究業績一覧 / p133 (0071.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153382
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087438
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000317696
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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