電着法によるc軸配向性InSe薄膜の作製に関する研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
電着法によるc軸配向性InSe薄膜の作製に関する研究
- Author
-
藤原, 武
- Author(Another name)
-
フジワラ, タケシ
- University
-
静岡大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第164号
- Degree year
-
1997-12-22
Note and Description
博士論文
doctoral
電子科学研究科
甲第164号
Table of Contents
- 論文要旨 / (0003.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論文の目的と構成 / p6 (0008.jp2)
- 参考文献 / p8 (0009.jp2)
- 第2章 実験 / p9 (0009.jp2)
- 2. 1 薄膜の作製 / p9 (0009.jp2)
- 2.2 膜の評価方法 / p17 (0013.jp2)
- 参考文献 / p20 (0015.jp2)
- 第3章 熱処理による結晶構造の変化 / p21 (0015.jp2)
- 3.1 緒言 / p21 (0015.jp2)
- 3.2 熱処理雰囲気の影響 / p21 (0015.jp2)
- 3.3 熱処理前の膜組成の影響 / p28 (0019.jp2)
- 3.4 熱処理温度の影響 / p30 (0020.jp2)
- 3.5 結論 / p38 (0024.jp2)
- 参考文献 / p39 (0024.jp2)
- 第4章 膜組成の制御 / p40 (0025.jp2)
- 4.1 緒言 / p40 (0025.jp2)
- 4.2 サイクリックボルタンメトリー測定 / p40 (0025.jp2)
- 4.3 定電流法における電着条件と電着膜の組成 / p45 (0027.jp2)
- 4.4 定電位法における電着条件と電着膜の組成 / p56 (0033.jp2)
- 4.5 定電流パルス法における電着条件と電着膜の組成 / p60 (0035.jp2)
- 4.6 結論 / p69 (0039.jp2)
- 参考文献 / p70 (0040.jp2)
- 第5章 表面形態の改善 / p71 (0040.jp2)
- 5.1 緒言 / p71 (0040.jp2)
- 5.2 定電流法における電着条件と電着膜の表面形態 / p71 (0040.jp2)
- 5.3 定電位法における電着条件と電着膜の表面形態 / p78 (0044.jp2)
- 5.4 定電流パルス法における電着条件と電着膜の表面形態 / p82 (0046.jp2)
- 5.5 結論 / p95 (0052.jp2)
- 参考文献 / p96 (0053.jp2)
- 第6章 電着初期過程の観察 / p97 (0053.jp2)
- 6.1 緒言 / p97 (0053.jp2)
- 6.2 チタン電極表面におけるセレンパシベーション膜の成長過程の観察 / p97 (0053.jp2)
- 6.3 チタン電極上へのIn - Seの析出過程の観察 / p100 (0055.jp2)
- 6.4 電着液中での膜の溶出 / p109 (0059.jp2)
- 6.5 パルスの繰り返し回数の影響 / p114 (0062.jp2)
- 6.6 定電流パルス法への応用 / p117 (0063.jp2)
- 6.7 結論 / p128 (0069.jp2)
- 参考文献 / p129 (0069.jp2)
- 第7章 結言 / p130 (0070.jp2)
- 謝辞 / p132 (0071.jp2)
- 研究業績一覧 / p133 (0071.jp2)