Studies of Si adatom arrangement and Ge growth on As-stabilized Si(111) surfaces Asにより安定化されたSi(111) 表面でのSi原子配列およびGe成長に関する研究

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著者

    • 安田, 晴行 ヤスダ, ハルユキ

書誌事項

タイトル

Studies of Si adatom arrangement and Ge growth on As-stabilized Si(111) surfaces

タイトル別名

Asにより安定化されたSi(111) 表面でのSi原子配列およびGe成長に関する研究

著者名

安田, 晴行

著者別名

ヤスダ, ハルユキ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第6101号

学位授与年月日

1997-10-24

注記・抄録

博士論文

14401甲第06101号

博士(理学)

大阪大学

1997-10-24

13423

目次

  1. Abstract / (0003.jp2)
  2. Contents / p1 (0004.jp2)
  3. 1 Introduction / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1.Introduction / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2 Si(111)“1×1”surface / p3 (0008.jp2)
  6. 1.3 Si(111)(1×1)-As surface / p6 (0011.jp2)
  7. 2 Experimental / p11 (0016.jp2)
  8. 2.1 Angle-Resolved Electron Spectrometer / p11 (0016.jp2)
  9. 2.2 Low-Energy Electron Diffraction(LEED)Method / p13 (0018.jp2)
  10. 2.3 Sample preparation / p17 (0022.jp2)
  11. 3 As-stabilized Si(111)“1×1”surface / p21 (0026.jp2)
  12. 3.1 Outline of the As-stabilized Si“1×1”surface / p21 (0026.jp2)
  13. 3.2 As coverage dependence / p23 (0028.jp2)
  14. 3.3 Primary electron energy dependence / p23 (0028.jp2)
  15. 3.4 Temperature dependence of dilfuse scattering / p26 (0031.jp2)
  16. 3.5 Results of STM observation / p29 (0034.jp2)
  17. 3.6 Monte Carlo simulation / p31 (0036.jp2)
  18. 3.7 Summary / p37 (0042.jp2)
  19. 4 Ge growth on Si(111)surface / p40 (0045.jp2)
  20. 4.1 Outline of As surfactant mediated epitaxy / p40 (0045.jp2)
  21. 4.2 Ge growth at 500℃ / p41 (0046.jp2)
  22. 4.3 Ge growth at 300℃ / p47 (0052.jp2)
  23. 4.4 Growth models / p50 (0055.jp2)
  24. 4.5 Summary / p51 (0056.jp2)
  25. 5 Conclusion / p54 (0059.jp2)
  26. Acknowledgement / p56 (0061.jp2)
  27. Publication list / p57 (0062.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153405
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087459
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317719
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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