気相法ダイヤモンドの核発生および成長過程に関する研究

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著者

    • 喬, 辛 キョウ, シン

書誌事項

タイトル

気相法ダイヤモンドの核発生および成長過程に関する研究

著者名

喬, 辛

著者別名

キョウ, シン

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3421号

学位授与年月日

1997-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 緒論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的 / p7 (0009.jp2)
  6. 1-3 既往の研究 / p9 (0010.jp2)
  7. 1-4 本研究の構成 / p16 (0014.jp2)
  8. 第1章の参考文献及び図、表 / p18 (0015.jp2)
  9. 第2章 CVDダイヤモンド合成装置及び実験方法 / p25 (0020.jp2)
  10. 2-1 気相法ダイヤモンド合成装置の概略 / p25 (0020.jp2)
  11. 2-2 本研究に使用されたマイクロ波プラズマCVD装置 / p32 (0024.jp2)
  12. 2-3 基板温度の測定 / p35 (0025.jp2)
  13. 第2章の参考文献及び図、表 / p37 (0026.jp2)
  14. 第3章 活性種輸送法によるアルミナ基板へのダイヤモンド薄膜の合成 / p48 (0037.jp2)
  15. 3-1 緒言 / p48 (0037.jp2)
  16. 3-2 実験方法 / p49 (0038.jp2)
  17. 3-3 実験結果 / p51 (0039.jp2)
  18. 3-4 考察 / p55 (0041.jp2)
  19. 3-5 結言 / p61 (0044.jp2)
  20. 第3章の参考文献及び本章の図、表 / p62 (0044.jp2)
  21. 第4章 活性種輸送法によるSi、c-BN基板へのダイヤモンド合成 / p76 (0058.jp2)
  22. 4-1 結言 / p76 (0058.jp2)
  23. 4-2 実験方法 / p78 (0059.jp2)
  24. 4-3 実験結果及び考察 / p80 (0060.jp2)
  25. 4-4 結言 / p85 (0063.jp2)
  26. 第4章の参考文献及び本章の図、表 / p87 (0064.jp2)
  27. 第5章 Ni基板上の炭素析出過程の熱サイクルによる影響 / p99 (0075.jp2)
  28. 5-1 緖言 / p99 (0075.jp2)
  29. 5-2 実験方法 / p101 (0076.jp2)
  30. 5-3 実験結果 / p104 (0078.jp2)
  31. 5-4 考察 / p109 (0080.jp2)
  32. 5-5 結言 / p114 (0083.jp2)
  33. 第5章の参考文献及び本章の図、表 / p116 (0084.jp2)
  34. 第6章 二段階合成プロセスによるNi基板へのダイヤモンド合成 / p136 (0103.jp2)
  35. 6-1 緒言 / p136 (0103.jp2)
  36. 6-2 実験方法 / p138 (0104.jp2)
  37. 6-3 実験結果及び考察 / p141 (0106.jp2)
  38. 6-5 結言 / p146 (0108.jp2)
  39. 第6章の参考文献及び本章の図、表 / p148 (0109.jp2)
  40. 第7章 総括 / p162 (0122.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153623
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092643
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317937
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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