Fundamental study on hot electron interference phenomena by buried double slit in a semiconductor 半導体中埋め込みダブルスリットによるホットエレクトロン干渉現象に関する基礎的研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Fundamental study on hot electron interference phenomena by buried double slit in a semiconductor
- タイトル別名
-
半導体中埋め込みダブルスリットによるホットエレクトロン干渉現象に関する基礎的研究
- 著者名
-
本郷, 廣生
- 著者別名
-
ホンゴウ, ヒロオ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第3451号
- 学位授与年月日
-
1997-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- Contents / p1 (0004.jp2)
- 1 Introduction / p1 (0006.jp2)
- 1.1 Historical Background / p1 (0006.jp2)
- 1.2 Motivation / p3 (0008.jp2)
- 1.3 Construction of this thesis / p5 (0010.jp2)
- 2 Proposal of double-slit experiment / p7 (0012.jp2)
- 2.1 Proposed device structure and principle of observation / p7 (0012.jp2)
- 2.2 Theoretical Considerations / p8 (0013.jp2)
- 2.3 Conclusions / p22 (0027.jp2)
- 3 Fabrication techniques / p26 (0031.jp2)
- 3.1 Introduction / p26 (0031.jp2)
- 3.2 Electron beam lithography / p26 (0031.jp2)
- 3.3 Buried fine structures / p28 (0033.jp2)
- 3.4 Fine-Pitch Electrodes Formed on Mesa / p33 (0038.jp2)
- 3.5 Alignment of Buried Nanostructure and Fine Electrodes / p36 (0041.jp2)
- 3.6 Toward finer patterning / p45 (0050.jp2)
- 3.7 Conclusions / p52 (0057.jp2)
- 4 Electrical properties of fine electrodes / p53 (0058.jp2)
- 4.1 Introduction / p53 (0058.jp2)
- 4.2 Measurement system / p54 (0059.jp2)
- 4.3 Device structure for measuring the electrical properties of fine electrodes / p57 (0062.jp2)
- 4.4 Measured results / p60 (0065.jp2)
- 4.5 Contact size dependence of current / p63 (0068.jp2)
- 4.6 Conclusions / p65 (0070.jp2)
- 5 Double-slit experiment under a magnetic field / p67 (0072.jp2)
- 5.1 Introduction / p67 (0072.jp2)
- 5.2 Principle of observation and the Device structure / p69 (0074.jp2)
- 5.3 Fabrication process / p71 (0076.jp2)
- 5.4 Measurement / p75 (0080.jp2)
- 5.5 Theoretical simulation under a magnetic field / p78 (0083.jp2)
- 5.6 Discussions / p88 (0093.jp2)
- 5.7 Conclusion / p91 (0096.jp2)
- 6 Conclusion / p93 (0098.jp2)
- A Experiment on graded emitter structure / p96 (0101.jp2)