有機金属気相成長法によるGaNおよびIn[x]Ga[1-x]N系混晶薄膜の成長と評価に関する研究

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著者

    • 西田, 謙 ニシダ, ケン

書誌事項

タイトル

有機金属気相成長法によるGaNおよびIn[x]Ga[1-x]N系混晶薄膜の成長と評価に関する研究

著者名

西田, 謙

著者別名

ニシダ, ケン

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3509号

学位授与年月日

1997-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的 / p10 (0014.jp2)
  6. 1-3 本論文の構成 / p11 (0015.jp2)
  7. 第2章 二層流横型MOVPE装置の設計および製作 / p17 (0021.jp2)
  8. 2-1 成長装置の設計 / p18 (0022.jp2)
  9. 2-2 成長装置の製作 / p31 (0035.jp2)
  10. 2-3 GaN薄膜成長による装置の評価 / p38 (0042.jp2)
  11. 第3章 低温成長GaNバッファー層を用いたGaNの結晶成長および評価 / p53 (0057.jp2)
  12. 3-1 GaNの基板上への直接成長 / p54 (0058.jp2)
  13. 3-2 サファイア基板表面のアンモニア処理効果 / p59 (0063.jp2)
  14. 3-3 低温成長GaNバッファー層の成長に及ぼす効果 / p66 (0070.jp2)
  15. 第4章 InNおよびInGaNの結晶成長と評価 / p80 (0084.jp2)
  16. 4-1 InNの成長 / p81 (0085.jp2)
  17. 4-2 InGaNの成長 / p85 (0089.jp2)
  18. 4-3 InGaNの光物性 / p88 (0092.jp2)
  19. 第5章 InGaN/GaNヘテロ構造の作製と評価 / p92 (0096.jp2)
  20. 5-1 InGaN/GaNヘテロ構造の作製 / p93 (0097.jp2)
  21. 5-2 InGaN/GaNヘテロ構造の評価 / p94 (0098.jp2)
  22. 5-3 InGaN/GaNダブルヘテロ構造の作製と評価 / p97 (0101.jp2)
  23. 第6章 結論 / p101 (0105.jp2)
  24. 6-1 本研究のまとめと結論 / p102 (0106.jp2)
  25. 6-2 今後の展望 / p105 (0109.jp2)
  26. 参考文献、謝辞、本研究に関する発表 / p107 (0111.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153711
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092726
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318025
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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