水素化アモルファスシリコンのプラズマ堆積における表面過程の量子化学的研究

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著者

    • 中嶌, 健司 ナカジマ, ケンジ

書誌事項

タイトル

水素化アモルファスシリコンのプラズマ堆積における表面過程の量子化学的研究

著者名

中嶌, 健司

著者別名

ナカジマ, ケンジ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第3534号

学位授与年月日

1997-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 要旨 / (0004.jp2)
  3. 目次 / p1 (0006.jp2)
  4. 第1章 序論 / p1 (0010.jp2)
  5. 1.1 緒言 / p1 (0010.jp2)
  6. 1.2 本研究の背景と意義 / p3 (0012.jp2)
  7. 1.3 本論文の概要 / p8 (0017.jp2)
  8. 参考文献 / p11 (0020.jp2)
  9. 第2章 アモルファスシリコンのプラズマCVDと量子化学 / p14 (0023.jp2)
  10. 2.1 緒言 / p14 (0023.jp2)
  11. 2.2.グロー放電プラズマCVD法 / p15 (0024.jp2)
  12. 2.3 走査型トンネル顕微鏡 / p16 (0025.jp2)
  13. 2.4 原子間力顕微鏡 / p18 (0027.jp2)
  14. 2.5 分子軌道法 / p19 (0028.jp2)
  15. 参考文献 / p33 (0042.jp2)
  16. 第3章 ガラス基板上でのa-Si:Hの成長反応 / p35 (0044.jp2)
  17. 3.1 緒言 / p35 (0044.jp2)
  18. 3.2 Si-O-SiへのSiH₃ラジカル付加反応 / p37 (0046.jp2)
  19. 3.3 SiOHからの水素引き抜き反応 / p38 (0047.jp2)
  20. 3.4 SiOHからの水素脱離反応 / p41 (0050.jp2)
  21. 3.5 SiO₂上でのa-Si:Hの成長反応 / p43 (0052.jp2)
  22. 3.6 考察 / p46 (0055.jp2)
  23. 3.7 まとめ / p70 (0079.jp2)
  24. 参考文献 / p70 (0079.jp2)
  25. 第4章 グラファイト基板への水素ラジカル付加反応 / p72 (0081.jp2)
  26. 4.1 緒言 / p72 (0081.jp2)
  27. 4.2 グラファイト基板への水素ラジカル付加反応 / p74 (0083.jp2)
  28. 4.3 考察 / p81 (0090.jp2)
  29. 4.4 まとめ / p100 (0109.jp2)
  30. 参考文献 / p100 (0109.jp2)
  31. 第5章 グラファイト基板のSTM像と分子軌道の比較 / p102 (0111.jp2)
  32. 5.1 緒言 / p102 (0111.jp2)
  33. 5.2 水素付加反応によるグラファイトの電子状態の変化 / p103 (0112.jp2)
  34. 5.3 考察 / p107 (0116.jp2)
  35. 5.4 まとめ / p124 (0133.jp2)
  36. 参考文献 / p124 (0133.jp2)
  37. 第6章 グラファイト基板上でのa-Si:Hの成長反応 / p126 (0135.jp2)
  38. 6.1 緒言 / p126 (0135.jp2)
  39. 6.2 グラファイト基板上でのa-Si:Hの成長反応 / p127 (0136.jp2)
  40. 6.4 考察 / p134 (0143.jp2)
  41. 6.5 まとめ / p149 (0158.jp2)
  42. 参考文献 / p149 (0158.jp2)
  43. 第7章 a-Si:H成長時の膜表面水素引き抜き反応 / p150 (0159.jp2)
  44. 7.1 緒言 / p150 (0159.jp2)
  45. 7.2 SiH₃ラジカルによる膜表面水素引き抜き反応 / p151 (0160.jp2)
  46. 7.3 Hラジカルによる膜表面水素引き抜き反応 / p153 (0162.jp2)
  47. 7.4 考察 / p154 (0163.jp2)
  48. 7.5 まとめ / p165 (0174.jp2)
  49. 参考文献 / p165 (0174.jp2)
  50. 第8章 総括 / p167 (0176.jp2)
  51. 付録 水素付加C₆₀の構造に関する研究 / p172 (0181.jp2)
  52. 付1.1 緒言 / p172 (0181.jp2)
  53. 付1.2 水素付加C₆₀の構造 / p173 (0182.jp2)
  54. 付1.3 考察 / p174 (0183.jp2)
  55. 参考文献 / p182 (0191.jp2)
  56. 業績リスト / p183 (0192.jp2)
  57. 謝辞 / (0198.jp2)
25アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153736
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092750
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318050
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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