パルスレーザープロセスによるカーボンおよびシリコンクラスターの合成と薄膜化に関する研究

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著者

    • 金, 玟成 キム, ミンソン

書誌事項

タイトル

パルスレーザープロセスによるカーボンおよびシリコンクラスターの合成と薄膜化に関する研究

著者名

金, 玟成

著者別名

キム, ミンソン

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3535号

学位授与年月日

1997-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第一章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 緒言 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2 クラスターおよび超微粒子 / p4 (0010.jp2)
  6. 1.3 本研究の目的と意義 / p23 (0029.jp2)
  7. 1.4 本研究の概要 / p24 (0030.jp2)
  8. 参考文献 / p26 (0032.jp2)
  9. 第二章 レーザーアブレーション法と生成物の解析法 / p50 (0056.jp2)
  10. 2.1 緒言 / p50 (0056.jp2)
  11. 2.2 レーザーアブレーション法および装置構造 / p52 (0058.jp2)
  12. 2.3 飛行時間型質量分析計(TOF-MS)の原理と特徴 / p55 (0061.jp2)
  13. 2.4 ラマン散乱分光法(Micro Raman) / p61 (0067.jp2)
  14. 2.5 X線光電子分光法(XPS) / p62 (0068.jp2)
  15. 2.6 電子線エネルギー損失分光(EELS) / p63 (0069.jp2)
  16. 2.7 原子間力顕微鏡(AFM) / p65 (0071.jp2)
  17. 2.8 フォトルミネッセンス(P.L) / p67 (0073.jp2)
  18. 参考文献 / p69 (0075.jp2)
  19. 第三章 SiCターゲットのパルスレーザーアブレーション法によるカーボンクラスター含有薄膜の作製と評価 / p79 (0085.jp2)
  20. 3.1 緒言 / p79 (0085.jp2)
  21. 3.2 パルスレーザーアブレーションによるSiC薄膜作製 / p80 (0086.jp2)
  22. 3.3 X線光電子分光法(XPS)による構造の解析 / p81 (0087.jp2)
  23. 3.4 薄膜のTOF-MSによる質量分析 / p81 (0087.jp2)
  24. 3.5 ターゲット表面温度分布と相分離 / p82 (0088.jp2)
  25. 3.6 ラマン散乱分光法による構造解析 / p84 (0090.jp2)
  26. 3.7 TEMおよびEELSによる薄膜の構造分析 / p85 (0091.jp2)
  27. 3.8 まとめ / p87 (0093.jp2)
  28. 参考文献 / p89 (0095.jp2)
  29. 第四章 遷移金属炭化物のパルスレーザーアブレーション / p108 (0114.jp2)
  30. 4.1 緒言 / p108 (0114.jp2)
  31. 4.2 TiC,WC,B₄Cの薄膜作製 / p109 (0115.jp2)
  32. 4.3 各種金属炭化物ターゲットのTOF-MSによる質量分析 / p109 (0115.jp2)
  33. 4.4.まとめ / p113 (0119.jp2)
  34. 参考文献 / p114 (0120.jp2)
  35. 第五章 シリコンクラスレート化合物[化学式]のパルスレーザーアブレーション法による薄膜作製と評価 / p129 (0135.jp2)
  36. 5.1.緒言 / p129 (0135.jp2)
  37. 5.2 レーザーアブレーション法による薄膜作製評価方法 / p130 (0136.jp2)
  38. 5.3 XRD法によるターゲットと薄膜の解析 / p131 (0137.jp2)
  39. 5.4 TOF-MSによるシリコンクラスレートの質量分析 / p132 (0138.jp2)
  40. 5.5 X線光電子分光法(XPS)およびEPMAによる構造の解析 / p133 (0139.jp2)
  41. 5.6 まとめ / p136 (0142.jp2)
  42. 参考文献 / p137 (0143.jp2)
  43. 第六章 Si超微粒子とC₆₀フラーレンとの反応によるSiC超微粒子の作製と評価 / p150 (0156.jp2)
  44. 6.1 緒言 / p150 (0156.jp2)
  45. 6.2 Si超微粒子とC₆₀の積層膜の作製条件 / p151 (0157.jp2)
  46. 6.3 SiC超微粒子作製 / p151 (0157.jp2)
  47. 6.4 Si超微粒子とC₆₀フラーレンとの反応によるSiC超微粒子の作製 / p152 (0158.jp2)
  48. 6.5 まとめ / p155 (0161.jp2)
  49. 参考文献 / p156 (0162.jp2)
  50. 第七章 総括 / p168 (0174.jp2)
  51. 謝辞 / p170 (0176.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153737
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092751
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318051
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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