シリコン中の重金属によるMOS型素子の特性劣化とその改善

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著者

    • 本田, 耕一郎 ホンダ, コウイチロウ

書誌事項

タイトル

シリコン中の重金属によるMOS型素子の特性劣化とその改善

著者名

本田, 耕一郎

著者別名

ホンダ, コウイチロウ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2909号

学位授与年月日

1996-05-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 第一章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1.緒言 / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2.高集積化・微細化に伴って酸化膜に要請される技術課題 / p2 (0007.jp2)
  6. 1.3.デバイス特性不良から見た重金属汚染の影響 / p5 (0008.jp2)
  7. 1.4.本研究の位置づけ、意義 / p11 (0011.jp2)
  8. 1.5.本論文の目的と構成 / p12 (0012.jp2)
  9. 1.6.参考文献 / p15 (0013.jp2)
  10. 第二章 Reflection Electron Microscopyを応用したSi基板表面、Si-SiO₂界面の形態観察方法 / p19 (0016.jp2)
  11. 2.1.緒言 / p19 (0016.jp2)
  12. 2.2.REMによる凹凸観察法の原理 / p19 (0016.jp2)
  13. 2.3.観察結果 / p23 (0018.jp2)
  14. 2.4.結言 / p30 (0022.jp2)
  15. 2.5.参考文献 / p31 (0022.jp2)
  16. 第三章 シリコン中の重金属元素(Fe,Cu,Ni,Cr)による素子特性の劣化 / p33 (0024.jp2)
  17. 3.1.緒言 / p33 (0024.jp2)
  18. 3.2.実験方法 / p35 (0025.jp2)
  19. 3.3.汚染重金属による素子特性の劣化 / p36 (0026.jp2)
  20. 3.4.表面汚染との比較 / p43 (0029.jp2)
  21. 3.5.議論 / p49 (0032.jp2)
  22. 3.6.結言 / p50 (0033.jp2)
  23. 3.7.参考文献 / p51 (0033.jp2)
  24. 第四章 重金属元素による特性劣化原因の検討 / p55 (0036.jp2)
  25. 4.1.緒言 / p55 (0036.jp2)
  26. 4.2.汚染重金属の深さ方向分布(SIMSによる観察) / p56 (0037.jp2)
  27. 4.3.透過型電子顕微鏡による観察と特性劣化の検討 / p61 (0039.jp2)
  28. 4.4.酸化膜特性に及ぼす影響に関するまとめ / p89 (0053.jp2)
  29. 4.5.結言 / p90 (0054.jp2)
  30. 付録A / p93 (0055.jp2)
  31. 付録B / p94 (0056.jp2)
  32. 4.6.参考文献 / p91 (0054.jp2)
  33. 第五章 HCl酸化による素子特性の改善 / p101 (0060.jp2)
  34. 5.1.緒言 / p101 (0060.jp2)
  35. 5.2.HC1酸化の場合 / p102 (0061.jp2)
  36. 5.3.Intrinsic Gettering(IG)による基板内汚染の除去効果 / p135 (0077.jp2)
  37. 5.4.Slight Etching(SE)洗浄による表面汚染の除去効果 / p143 (0081.jp2)
  38. 5.5.結言 / p151 (0085.jp2)
  39. 5.6.参考文献 / p153 (0086.jp2)
  40. 第六章 結論 / p155 (0088.jp2)
  41. 謝辞 / p169 (0095.jp2)
  42. 発表論文 / p163 (0092.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153779
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092793
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318093
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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